[发明专利]一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器

权利要求书

1.一种漂移探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底的正面形成第一掩蔽层，在所述半导体衬底的背面形成第二掩蔽层，选择性去除所述第一掩蔽层以形成第一隔离区，选择性去除所述第二掩蔽层以形成第二隔离区；对所述第一隔离区进行离子掺杂形成第一掺杂隔离区，在所述第一掺杂隔离区表面形成第一隔离层，在所述第二隔离区表面形成第二隔离层；去除所述第一掩蔽层，在所述第一掺杂隔离区的间隔中形成阳极区和漂移环区，去除所述第二掩蔽层，在所述第二隔离区的间隔中形成收集区；其中，所述阳极区位于所述半导体衬底的正面中心处；所述漂移环区以所述半导体衬底的正面中心为中心环绕在所述阳极区的外周；所述收集区位于所述半导体衬底的背面中心处，且覆盖所述第二隔离区的间隔；

或者，在所述半导体衬底的正面形成第二掩蔽层，在所述半导体衬底的背面形成第一掩蔽层，选择性去除所述第二掩蔽层以形成第二隔离区，选择性去除所述第一掩蔽层以形成第一隔离区；对所述第一隔离区进行离子掺杂形成第一掺杂隔离区，在所述第一掺杂隔离区表面形成第一隔离层，在所述第二隔离区表面形成第二隔离层；去除所述第一掩蔽层，在所述第一掺杂隔离区的间隔中形成阳极区和漂移环区，去除所述第二掩蔽层，在所述第二隔离区的间隔中形成收集区；其中，所述阳极区位于所述半导体衬底的背面中心处；所述漂移环区以所述半导体衬底的背面中心为中心环绕在所述阳极区的外周；所述收集区位于所述半导体衬底的正面中心处，且覆盖所述第二隔离区的间隔；

对所述阳极区、漂移环区和收集区分别进行离子掺杂，其中，所述阳极区的离子掺杂类型与所述第一掺杂隔离区的离子掺杂类型相同，所述漂移环区和收集区的离子掺杂类型与所述阳极区的离子掺杂类型相反；

对所述半导体衬底进行退火处理；

在所述阳极区、漂移环区和收集区的表面形成介质层；

在所述介质层上形成沿所述半导体衬底厚度方向贯穿所述介质层的接触孔，填充所述接触孔以形成金属引线。

2.根据权利要求1所述的漂移探测器的制备方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第一掩蔽层和第二掩蔽层之前，在所述半导体衬底的正面和背面形成氧化层。

3.根据权利要求1所述的漂移探测器的制备方法，其特征在于，

形成所述第一隔离区的步骤，包括：在所述第一掩蔽层表面涂覆光刻胶；图案化所述光刻胶以定义出所述第一隔离区；采用干法刻蚀工艺去除所述第一隔离区表面的所述第一掩蔽层；去除所述第一掩蔽层表面的所述光刻胶；

形成所述第二隔离区的步骤，包括：在所述第二掩蔽层表面涂覆光刻胶；图案化所述光刻胶以定义出所述第二隔离区；采用干法刻蚀工艺去除所述第二隔离区表面的所述第二掩蔽层；去除所述第二掩蔽层表面的所述光刻胶。

4.根据权利要求1所述的漂移探测器的制备方法，其特征在于，对所述第一隔离区进行离子掺杂形成第一掺杂隔离区的步骤，包括：

以所述第一掩蔽层为掩蔽采用离子注入工艺在所述第一隔离区表面进行磷离子注入，形成N型掺杂，或，进行硼离子注入，形成P型掺杂。

5.根据权利要求1所述的漂移探测器的制备方法，其特征在于，形成所述第一隔离层和第二隔离层的步骤，包括：

采用氧化工艺形成所述第一隔离层和第二隔离层。

6.根据权利要求1所述的漂移探测器的制备方法，其特征在于，去除所述第一掩蔽层形成所述阳极区和漂移环区，去除所述第二掩蔽层形成所述收集区的步骤，包括：

采用磷酸湿法腐蚀工艺去除所述第一掩蔽层和第二掩蔽层。

7.根据权利要求1所述的漂移探测器的制备方法，其特征在于，对所述阳极区进行离子掺杂，包括：在所述阳极区、漂移环区和第一隔离层表面涂覆光刻胶，图案化所述光刻胶以定义出所述阳极区，以所述漂移环区和第一隔离层表面的所述光刻胶为掩蔽，对所述阳极区进行磷离子注入，形成N型掺杂，或，进行硼离子注入，形成P型掺杂，去除所述漂移环区和第一隔离层表面的所述光刻胶。