[发明专利]包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；以及

电容器，设置在所述衬底之上且包括：

第一电极，包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层，其中所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层；

第二电极，包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层，其中所述多个第二电极层分别在多个第二连接区中接触相邻的第二电极层，其中所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间；以及

电容器介电结构，将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

内连线结构，上覆在所述衬底上且包括相对的侧壁，所述相对的侧壁至少部分地界定沟槽，其中所述第一电极、所述第二电极及所述电容器介电结构设置在所述沟槽内。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一连接区及所述第二连接区分别和所述沟槽在侧向上偏置开。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述内连线结构包括：

内连线介电结构，具有至少部分地界定所述沟槽的所述相对的侧壁；

多个导通孔，设置在所述内连线介电结构内且包括上导通孔；

多个导电线，设置在所述内连线介电结构内且包括下导电线；以及

其中所述多个第一电极层中的最底部的第一电极层直接接触所述下导电线且所述多个第二电极层中的最顶部的第二电极层直接接触所述上导通孔。

5.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

单个导通孔，上覆在所述电容器上且直接接触所述第二电极，其中所述单个导通孔是直接接触所述电容器的唯一通孔。

6.一种集成电路，包括：

第一衬底；

光电探测器，设置在所述第一衬底内；

层间介电层，上覆在所述第一衬底上，其中所述层间介电层包括第一相对的侧壁，所述第一相对的侧壁至少部分地界定上覆在所述光电探测器上的第一沟槽；以及

沟槽电容器，设置在所述第一沟槽内，其中所述沟槽电容器包括：

第一电极，设置在所述第一沟槽内且包括下第一电极层及上第一电极层，所述下第一电极层与所述上第一电极层在第一区中彼此直接接触，所述第一区和所述第一沟槽在侧向上偏置开；

第二电极，设置在所述第一沟槽内且包括下第二电极层及上第二电极层，所述下第二电极层与所述上第二电极层在第二区中彼此直接接触，所述第二区和所述第一沟槽在侧向上偏置开；

电容器介电结构，设置在所述第一沟槽内且将所述第一电极与所述第二电极彼此分开；以及

其中所述下第二电极层设置在所述下第一电极层与所述上第一电极层之间，且其中所述上第一电极层设置在所述下第二电极层与所述上第二电极层之间。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述沟槽电容器的外周界在所述光电探测器的外侧壁之间且和所述光电探测器的所述外侧壁在侧向上间隔开。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述层间介电层包括第二相对的侧壁，所述第二相对的侧壁至少部分地界定第二沟槽，所述第二沟槽和所述第一沟槽在侧向上偏置开，其中所述第一电极、所述第二电极及所述电容器介电结构分别对所述第二沟槽进行装衬，其中所述第一沟槽与所述第二沟槽在所述第一区与所述第二区之间且和所述第一区与所述第二区在侧向上间隔开。

9.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述下第一电极层、所述上第一电极层及所述下第二电极层在所述沟槽内分别具有U形轮廓，且所述上第二电极层具有T形轮廓。

10.一种形成沟槽电容器的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成下内连线结构，其中所述下内连线结构包括设置在下层间介电结构内的下导电线；

将所述下内连线结构图案化，以形成沟槽，所述沟槽暴露出所述下导电线的上表面；

在所述下导电线之上形成下第一电极层，所述下第一电极层上覆在所述下层间介电结构上且对所述沟槽进行装衬；

形成第一电容器介电层，所述第一电容器介电层上覆在所述下第一电极层上且对所述沟槽进行装衬；

形成下第二电极层，所述下第二电极层上覆在所述第一电容器介电层上且对所述沟槽进行装衬；

形成第二电容器介电层，所述第二电容器介电层上覆在所述下第二电极层上且对所述沟槽进行装衬；

将所述第一电容器介电层及所述第二电容器介电层图案化，以在第一区中暴露出所述下第一电极层的段，所述第一区和所述沟槽在侧向上偏置开；以及

在所述第二电容器介电层之上形成上第一电极层，所述上第一电极层对所述沟槽进行装衬且直接接触所述第一区中的所述下第一电极层。