[发明专利]一种气密封装方法及气密封装器件

权利要求书

1.一种气密封装方法，其特征在于，包括：

在陶瓷基板上制备通孔，其中，所述通孔贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面；

在所述陶瓷基板的通孔内注入金属浆料，并将所述金属浆料固化，形成贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的金属柱；

在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置制备金属围框；

将待封装的射频芯片安装在所述陶瓷基板上金属围框的内部，并将待封装的射频芯片的射频线和控制线分别通过所述陶瓷基板上的金属柱引出；

采用焊接的方式将盖板密封在所述金属围框的上表面，形成气密封装结构。

2.如权利要求1所述的气密封装方法，其特征在于，连接所述待封装的射频芯片的射频线的金属柱记为导通柱，做射频线的导通柱的外围还设有一圈金属柱形成的射频信号屏蔽结构。

3.如权利要求2所述的气密封装方法，其特征在于，所述在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置制备金属围框包括：

在所述陶瓷基板的上表面沉积金属，形成金属种子层；

在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置，通过电化学沉积法在金属种子层上制备金属围框。

4.如权利要求3所述的气密封装方法，其特征在于，在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置，通过电化学沉积法在金属种子层上制备金属围框之前，还包括：

在所述陶瓷基板的上表面预留表面导体层的位置，通过电化学沉积法在所述金属种子层上制备表面导体层，其中，所述表面导体层的第一区域用于制备金属围框，所述表面导体层的第二区域用于表贴待封装的射频芯片，所述表面导体层的第三区域用于加厚所述导通柱和所述导通柱外围的射频信号屏蔽结构；

相应的，在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置，通过电化学沉积法在金属种子层上制备金属围框包括：

在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置，通过电化学沉积法在表面导体层的第一区域上制备金属围框。

5.如权利要求4所述的气密封装方法，其特征在于，在所述陶瓷基板的上表面预留金属围框的位置，通过电化学沉积法在金属种子层上制备金属围框之后，还包括：

将所述陶瓷基板上的所述表面导体层对应的位置以外的金属种子层去除。

6.如权利要求1所述的气密封装方法，其特征在于，在所述陶瓷基板的通孔内注入金属浆料，并将所述金属浆料固化，形成贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的金属柱之后，还包括：

对注入金属浆料后的陶瓷基板的上下表面进行研磨抛光处理。

7.如权利要求1所述的气密封装方法，其特征在于，所述金属围框包括：金属外围墙；

当待封装的射频芯片为至少两个，且所述待封装的射频芯片之间需要隔离时，所述金属围框还包括：隔离墙，需要隔离的多个射频芯片位于不同的气密空间中，气密空间之间通过所述隔离墙隔离。

8.一种气密封装器件，其特征在于，包括：

陶瓷基板，设有贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，所述陶瓷基板的通孔内部填充金属浆料，所述通孔内的金属浆料记为金属柱；

金属围框，设置在所述陶瓷基板的上面；

射频芯片，安装在所述陶瓷基板上金属围框的内部，所述射频芯片的射频线通过所述陶瓷基板上的金属柱引出；

盖板，焊接在所述金属围框上表面，所述陶瓷基板、所述金属围框和所述盖板形成容纳所述射频芯片的气密结构。

9.如权利要求8所述的气密封装器件，其特征在于，连接所述射频芯片的射频线的金属柱记为导通柱，所述导通柱的外围还设有一圈金属柱形成的射频信号屏蔽结构。

10.如权利要求8所述的气密封装器件，其特征在于，所述金属围框包括：金属外围墙；

当所述射频芯片为至少两个，且所述射频芯片之间需要隔离时，所述金属围框还包括：隔离墙，需要隔离的多个射频芯片位于不同的气密空间中，气密空间之间通过所述隔离墙隔离。