[发明专利]三维微波模块电路结构及其制备方法

权利要求书

1.三维微波模块电路结构，其特征在于：包括下层基板、设于所述下层基板上表面上的下层电路元件、密封罩设于所述下层基板上表面上且与所述下层基板配合形成容纳腔的金属外壳、设于所述容纳腔内的至少一个上层基板及设于所述上层基板上表面上的上层电路元件，位于底部的所述上层基板通过第一焊球与所述下层基板连接，所述下层基板的下表面上设有第二焊球；所述上层基板上设有第一过孔，所述第一过孔内设有第一导电构件，所述下层基板上设有第二过孔，所述第二过孔内设有第二导电构件，所述上层电路元件通过第一导电构件与所述第一焊球导电连接，所述第一焊球和所述下层电路元件分别与所述第二导电构件导电连接，所述第二导电构件与所述第二焊球导电连接。

2.如权利要求1所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：所述金属外壳包括密封连接于所述下层基板上表面四周的金属围墙及密封盖设于所述金属围墙上端面上的金属盖板。

3.如权利要求1所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：所述第一导电构件为填充于所述第一过孔内的第一金属导电芯，所述第二导电结构为填充于所述第二过孔内的第二金属导电芯。

4.如权利要求3所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：所述第一金属导电芯和所述第二金属导电芯均为纯铜构件。

5.如权利要求1所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：当所述上层基板设有多个时，多个所述上层基板沿上下方向层叠分布，相邻的所述上层基板之间通过所述第一焊球连接，且相邻的所述上层基板上的第一导电构件通过所述第一焊球导电连接。

6.如权利要求5所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：所述第一焊球呈预设形状的阵列分布，相邻的所述上层基板的接地层和所述第一焊球之间围合形成第一虚拟金属腔体。

7.如权利要求1所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：所述第一焊球呈预设形状的阵列分布，所述上层基板的接地层、所述下层基板的接地层和所述第一焊球之间围合形成第二虚拟金属腔体。

8.如权利要求1所述的三维微波模块电路结构，其特征在于：所述上层电路元件包括上层芯片，所述下层电路元件包括下层芯片，所述上层芯片和所述下层芯片均为裸芯片。

9.三维微波模块电路结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将下层电路元件组装在下层基板的上表面上；

在所述上层基板的下表面上植入第一焊球；

将上层电路元件组装在上层基板的上表面上；

将植入所述上层基板上的所述第一焊球焊接于所述下层基板上；

将金属外壳罩设于所述下层基板上表面上并与所述下层基板密封连接；

在所述下层基板的下表面上植入所述第二焊球。

10.如权利要求9所述的三维微波模块电路结构的制备方法，其特征在于，所述在所述上层基板的下表面上植入第一焊球；将植入所述上层基板上的所述第一焊球焊接于所述下层基板上具体包括：

获取上层基板和下层基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，所述目标堆叠间距为所述上层基板下表面和所述下层基板上表面之间的预设间距，所述初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；

根据所述目标堆叠间距以及所述初选工艺参数确定调节工艺参数，所述调节工艺参数用于影响焊接于所述上层基板和所述下层基板之间的所述第一焊球的高度；

基于所述初选工艺参数和所述调节工艺参数，在所述上层基板下表面的焊盘上植入所述第一焊球；

将所述上层基板下表面焊盘上的所述第一焊球通过再流焊焊接在所述下层基板上表面的焊盘上。