[发明专利]用于背面光刻工艺的对准方法

权利要求书

1.一种用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，包括：

对晶圆进行切割，并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识；

将所述晶圆的正面与垫片粘合，形成复合晶圆；

将所述复合晶圆上的所述第一对准标识与光罩上相应的第二对准标识进行对准以用于背面光刻。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述对晶圆进行切割，并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识，具体包括：

提供晶圆；

在所述晶圆刻有图形的一侧表面设置至少两条预设切割线；

沿着所述预设切割线进行切割，并将切割所形成的至少两条棱边作为第一对准标识。

3.根据权利要求2所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述在所述晶圆刻有图形的一侧表面设置至少两条预设切割线，具体包括：

获取若干距离参考值，所述距离参考值为所述光罩上图形的第一预设位置至所述第二对准标识的垂直距离值；

以第二预设位置为起点，根据若干所述距离参考值确定所述晶圆上的若干切割点，然后连接若干所述切割点以形成至少两条预设切割线；其中，所述第二预设位置为所述晶圆上的图形与所述第一预设位置相对应的位置。

4.根据权利要求2或3所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述预设切割线为两条；

两条所述预设切割线为连续性直线或间断性直线，且两条所述预设切割线相互垂直。

5.根据权利要求3所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述第二对准标识围绕所述光罩上的图形设置，且所述预设切割线根据所述第二对准标识的外围边缘进行设置。

6.根据权利要求1-3任一项所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述垫片的尺寸不小于标准晶圆的尺寸。

7.根据权利要求1-3任一项所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述晶圆的材料为硅、锗、砷化镓或磷化铟；

所述垫片为硅片基板、蓝宝石基板或砷化镓基板。

8.根据权利要求1-3任一项所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述晶圆的厚度不超过150微米。

9.根据权利要求1-3任一项所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述晶圆通过临时键合胶粘合在所述垫片上。

10.根据权利要求1所述的用于晶圆背面光刻工艺的对准方法，其特征在于，所述将所述复合晶圆上的所述第一对准标识与光罩上相应的第二对准标识进行对准以用于背面光刻之后，还包括：

将所述晶圆从所述垫片上解离。