[发明专利]一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法

说明书

本发明公开一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法，属于集成电路电子封装技术领域。首先对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗；接着将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干；然后陶瓷封装器件烘干后放入化镀池中进行金属再化镀形成抗腐蚀层；最后去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干。本发明通过在现有工艺上进行再次化镀，以修复封盖工艺对焊边造成的镀层损伤，无需引进新设备，不会增加生产成本，而且由于再次化镀无需在引脚加电，不会影响电路性能。改善平行缝焊合金盖板的抗盐雾腐蚀性能，可同时满足集成电路产品更加苛刻的盐雾环境应用需求和采用平行缝焊密封工艺封装器件的高可靠性要求。

技术领域

本发明涉及集成电路电子封装技术领域，特别涉及一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法。

背景技术

平行缝焊是高可靠集成电路气密封装的一种重要的盖板密封技术，该技术利用电阻焊的原理，通过滚轮电极产生的热量使盖板反面的镀层熔化；随着电极轮在盖板上滚动，焊点一个个相继成型，形成一条鱼鳞状搭连接的焊缝，实现盖板与陶瓷或金属外壳的密封环之间的焊接。这种焊接属于局部焊接，焊接电流在通过电极与盖板接触处、盖板与密封环接触处时产生足够的热量，使得两个接触处的镀层发生熔化。缝焊工艺热量集中在密封区局部，器件内部芯片未受到高温的作用。平行缝焊的特点是局部产生高温，外壳内部的芯片温度低，对芯片不产生热冲击。通常的平行缝焊合金盖板采用镍作为表面镀层，为避免焊接过程中温度过高对封装外壳内的电路芯片、器件的影响，一般采用熔点较低的化学镀镍工艺。在该工艺中，化学镀镍液中参杂的磷的重量比一般在8%～12%之间，其镀层的熔点为880℃。在平行缝焊中，通过控制焊接电流的大小使得盖板与密封环接触处的温度高于化学镀镍层的熔点时，可实现二者之间的密封焊接。

为保证良好的密封性能，通常情况下盖板与密封环接触处的温度在1000℃甚至更高。较高的温度将有助于平行缝焊密封工艺的合格率，但温度过高时，表面镀层熔化过于充分反而使得其作为表面镀层的保护作用减弱，底部金属暴露的机会更大。由于平行缝焊合金盖板的基体材料为含铁合金，一旦铁元素暴露后，盖板的耐腐蚀性能发生退化，这也是采用平行缝焊密封工艺的封装产品在进行盐雾试验中经常出现锈蚀失效的根本原因。

常规的平行缝焊合金盖板采用的是整体化学镀镍工艺形成表面镀镍层，其正反面镀层结构一致，虽然镀层熔点不高，但由于平行缝焊过程中正面仍然形成了重叠焊点，当平行缝焊电流较高时，很难避免镀层底部基体中的铁元素的暴露，因此盐雾试验中的锈蚀失效问题时有发生，对电路应用中的可靠性带来隐患。

发明内容

本发明的目的在于提供一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法，以解决目前采用平行焊缝工艺的封装品在烟雾试验中容易发生锈蚀失效的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法，包括：

对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗；

将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干；

陶瓷封装器件烘干后放入化镀池中进行金属再化镀形成抗腐蚀层；

去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干。

可选的，对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗包括：

将平行缝焊好的陶瓷封装器件放入去离子水中进行超声预清洗，时间为10分钟。

可选的，所述光刻胶为正性胶或负性胶。

可选的，将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干包括：

将涂上光刻胶的陶瓷封装器件放入无氧固化烘箱中进行烘干固化处理，烘干的温度为80-150℃，烘干时间为2h。

可选的，去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干包括：