[发明专利]一种高压运算放大器使用低压输入器件的保护电路有效
| 申请号： | 201911152132.5 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112838834B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 孙德臣 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 运算放大器 使用 低压 输入 器件 保护 电路 | ||
1.一种高压运算放大器使用低压输入器件的保护电路，其特征在于，包括低压主输入对器件和与主输入对输入电压共模的辅助共模电路，所述辅助共模电路使得所述低压主输入对器件承受的所述输入电压被部分平衡；
所述低压主输入对器件包括衬底互连且源极互连的第七PMOS管和第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极经第八源端电压节点通过第三电流源连接电源电压端，所述第七PMOS管的栅极连接运放负向输入端，所述第八PMOS管的栅极连接运放正向输入端，所述第七PMOS管的漏极连接第九PMOS管的源极，所述第八PMOS管的漏极连接第十PMOS管的源极，所述第九PMOS管和所述第十PMOS管栅极互连后连接第六栅端电压节点，所述第九PMOS管的漏极连接差分对正向输出端，所述第十PMOS管的漏极连接差分对负向输出端；
所述辅助共模电路包括衬底互连且源极互连的第四PMOS管和第五PMOS管，所述第四PMOS管的源极经第四源端电压节点通过第二电阻连接第三PMOS管的栅漏互连节点，所述第三PMOS管的源极连接第一源端电压节点，所述第一源端电压节点分别连接所述第三PMOS管的衬底、所述第四PMOS管的衬底和所述第七PMOS管的衬底，所述第四PMOS管的栅极连接运放正向输入端，所述第五PMOS管的栅极连接运放负向输入端，所述第四PMOS管和第五PMOS管漏极互连后连接第四漏端电压节点。
2.根据权利要求1所述的高压运算放大器使用低压输入器件的保护电路，其特征在于，所述第一源端电压节点通过第二电流源连接电源电压端。
3.根据权利要求1所述的高压运算放大器使用低压输入器件的保护电路，其特征在于，所述第四漏端电压节点连接第六PMOS管的源极，所述第六PMOS管的栅极连接所述第六栅端电压节点，所述第六PMOS管的漏极连接接地端。
4.根据权利要求1所述的高压运算放大器使用低压输入器件的保护电路，其特征在于，所述第六栅端电压节点一路通过第一电流源连接接地端，另一路通过第一电阻连接第二PMOS管的栅漏互连节点，所述第二PMOS管的源极连接第一PMOS管的栅漏互连节点，所述第一PMOS管的源极连接所述第一源端电压节点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子（北京）股份有限公司，未经圣邦微电子（北京）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911152132.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于中频等离子电源的防冷凝加热装置
- 下一篇：一种工程用铸铁闸门
