[发明专利]一种能够减小微功耗比较器输出级瞬态电流的控制电路

说明书

一种能够减小微功耗比较器输出级瞬态电流的控制电路，通过在输出级的PMOS管连接结构中增加第一反相器和在输出级的NMOS管的连接结构中增加第二反相器，能够利用双反相器的延时效应使得输出端PMOS管Mpout和输出端NMOS管Mnout不出现同时导通的状态，从而避免因Mpout与Mnout同时导通的瞬间而出现的比较器输出级的较大瞬时输出电流，以保护微功耗比较器和提高微功耗比较器的稳定性。

技术领域

本发明涉及芯片比较器电路技术，特别是一种能够减小微功耗比较器输出级瞬态电流的控制电路，通过在输出级的PMOS管连接结构中增加第一反相器和在输出级的NMOS管的连接结构中增加第二反相器，能够利用双反相器的延时效应使得输出端PMOS管Mpout和输出端NMOS管Mnout不出现同时导通的状态，从而避免因Mpout与Mnout同时导通的瞬间而出现的比较器输出级的较大瞬时输出电流，以保护微功耗比较器和提高微功耗比较器的稳定性。

背景技术

比较器是芯片集成电路中的常用器件，微功耗比较器通常指电源电流在微安级甚至纳安级的比较器。微功耗比较器的输出级一般采用反相器结构，包括一个PMOS管和一个NMOS的组合。如果比较器的前级信号为全电压范围的逻辑信号，那么就会存在比较器输出级的PMOS管与NMOS管同时导通的瞬间，此时瞬时的电流较大。较大的瞬态电流对微功耗比较器是不能忍受的，有可能导致微功耗比较器受损，或者破坏微功耗比较器的稳定性。本发明人认为，如果在输出级的PMOS管连接结构中增加第一反相器和在输出级的NMOS管的连接结构中增加第二反相器，能够利用双反相器的延时效应使得输出端PMOS管Mpout和输出端NMOS管Mnout不出现同时导通的状态，从而避免因Mpout与Mnout同时导通的瞬间而出现的比较器输出级的较大瞬时输出电流，以保护微功耗比较器和提高微功耗比较器的稳定性。有鉴于此，本发明人完成了本发明。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种能够减小微功耗比较器输出级瞬态电流的控制电路，通过在输出级的PMOS管连接结构中增加第一反相器和在输出级的NMOS管的连接结构中增加第二反相器，能够利用双反相器的延时效应使得输出端PMOS管Mpout和输出端NMOS管Mnout不出现同时导通的状态，从而避免因Mpout与Mnout同时导通的瞬间而出现的比较器输出级的较大瞬时输出电流，以保护微功耗比较器和提高微功耗比较器的稳定性。

本发明的技术方案如下：

一种能够减小微功耗比较器输出级瞬态电流的控制电路，其特征在于，包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端分别连接输出端PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极，所述输出端PMOS管的漏极与输出端NMOS管的漏极互连后连接输出信号端，所述输出端PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极均连接电源电压端，所述第三NMOS管的栅极连接所述第二反相器的输出端，所述第二反相器的输入端分别连接所述输出端NMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述第一NMOS管的源极和所述输出端NMOS管的源极均连接接地端，所述第二PMOS管的源极连接第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压端，所述第一PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极互连后连接输入信号端，所述第三NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极连接接地端，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极互连后连接所述输入信号端。

所述第一反相器的电源接点连接电源电压端，所述第一反相器的接地点连接接地端。

所述第二反相器的电源接点连接电源电压端，所述第二反相器的接地点连接接地端。