[发明专利]钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：将钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液经熔铸、氢破、成形、烧结和时效处理，即可；

以质量百分比计，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5~32%，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr和Nd；其中，所述Pr≥17.15%；

Cu：≥0.35%；

B：0.9~1.2%；

Fe：64~69.2%，百分比是指占所述钕铁硼磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；

在所述钕铁硼磁体材料的晶间三角区中，Pr和Cu的质量总和占所述晶间三角区的各元素总质量的比值为Q1；

在所述钕铁硼磁体材料的晶界处，Pr和Cu的质量总和占所述晶界处各元素总质量的比值为Q2；

其中，Q1＜Q2，且Q2≥0.1。

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，所述Pr的含量为17.15~26%；

和/或，所述Nd的含量在15%以下；

和/或，所述的R’中还包括Y；

和/或，所述R’还包括RH，所述RH为重稀土元素；

和/或，所述Cu的含量为0.35~1.3%；

和/或，所述B的含量为0.95~1.2%；

和/或，所述Fe的含量为64.8~69.2%；

和/或，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Al；

和/或，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Ga；

和/或，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Zr；

和/或，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Co；

和/或，所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物还包括Zn、Ag、In、Sn、V、Cr、Mo、Ta、Hf和W中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，所述Pr的含量为17.15%、18.15%、19.15%、20.15%、20.85%、21.15%、22.15%、23.15%、24.15%、25.15%或26%；

和/或，所述Nd的含量为4~13%；

和/或，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种；

和/或，所述RH和所述R’的质量比小于0.253；

和/或，所述RH的含量为1~2.5%；

和/或，所述Cu的含量为0.35%、0.4%、0.45%、0.5%、0.6%、0.65%、0.7%、0.8%、0.85%、0.9%、0.95%、1%、1.05%、1.1%或1.2%；

和/或，所述B的含量为0.985%、1%、1.1%或1.2%；

和/或，所述Fe的含量为64.914%、64.965%、65.065%、65.085%、65.135%、65.365%、65.405%、65.485%、65.54%、65.615%、65.665%、65.715%、65.815%、65.865%、65.915%、66.015%、66.035%、66.045%、66.215%、66.23%、66.265%、66.315%、66.465%、66.445%、66.545%、66.615%、66.715%、66.815%、66.865%、67.145%、67.165%、67.415%、67.615%、67.915%、68.015%、68.295%、68.565%或69.165%；

和/或，当所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Al时，所述Al的含量在3%以下；

和/或，当所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Ga时，所述Ga的含量在1%以下；

和/或，当所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Zr时，所述Zr的含量在0.3%以下；

和/或，当所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Co时，所述Co的含量为0.2~1.5%；

和/或，当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物还包括Zn时，所述Zn的含量在0.1%以下；

和/或，当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物还包括Mo时，所述Mo的含量在0.1%以下。