[发明专利]一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件

权利要求书

1.一种高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底层(1)；

若干沟道层，若干所述沟道层依次叠于所述衬底层(1)上；

栅极(2)，设置在若干所述沟道层的两侧和顶部，并位于所述GaN晶体管器件的中间位置处，而且至少最底层的所述沟道层两侧不设置所述栅极(2)，其中，所述栅极(2)包括栅介质层(201)和栅金属层(202)，所述栅介质层(201)位于所述栅极(2)的两侧与底部，所述栅金属层(202)位于所述栅极(2)的两侧、底部与顶部，其中，所述栅金属层(202)覆盖在所述栅介质层(201)上，所述栅极(2)的顶部和侧面与其接触的所述沟道层形成三维栅鳍结构，所述栅极(2)的底面与其接触的所述沟道层形成平面栅结构；

源极(3)，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近一侧的位置处；

漏极(4)，设置在所述若干沟道层上，并位于所述GaN晶体管器件的靠近另一侧的位置处。

2.根据权利要求1所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述沟道层包括自下而上设置的GaN缓冲层和AlGaN势垒层，所述GaN缓冲层和所述AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结。

3.根据权利要求2所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述AlGaN势垒层的厚度为15～25nm。

4.根据权利要求1或2所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述衬底层(1)为Si衬底、蓝宝石或SiC衬底。

5.根据权利要求1所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述三维栅鳍结构的宽度为30～70nm。

6.根据权利要求1或2所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，所述栅介质层(201)为高K介质层，其厚度为2～4nm。

7.根据权利要求1或2所述的高线性度复合绝缘侧栅结构的GaN晶体管器件，其特征在于，还包括钝化层(5)，所述钝化层(5)设置在所述若干沟道层上未被覆盖的位置处。