[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911149563.6 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110854171B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 罗程远;申永奇;卜斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/78;H01L23/31 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,该显示基板的制备方法,包括:在衬底基板第一表面的待开孔区域之上至少形成覆盖所述待开孔区域的遮挡层;在所述遮挡层之上形成功能层;在所述衬底基板的第二表面,对所述待开孔区域进行开孔,以贯穿至所述衬底基板的所述第一表面;以解决现有显示基板在开孔过程中,待开孔区域内的功能层无法完全去除,残留的材料会对后续开孔造成影响的问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
微型薄膜加热器在很多领域具有应用,如热相关气体传感器和红外光源。随着MEMS技术的发展,可制造出更小体积、更低功耗、热量分布均匀、更高性能的加热器。随着智能终端的快速发展,希望终端更加智能,功能更强大,同时体积和功耗要更小,因此对传感器集成度的要求越来越高。
传统的微型加热器大多采用硅作为衬底。硅基加热器的制备工艺不能用于玻璃基板,因为刻蚀玻璃常用的氢氟酸、硝酸等强酸性溶剂对支撑膜材具有强腐蚀性。如果先刻蚀,再制作加热器层,又无法实现空腔的结构,从而导致热耗散现象严重,功耗高。
随着显示技术的飞速发展,OLED(Organic Light Emitting Diode,有机电致发光器件)因其具有的高响应、高对比度和可柔性化等优点,拥有了广泛的应用前景,尤其是在柔性显示方面,更能体现出OLED自身的优势。
目前,为了提高显示装置的屏占比,通常采用无边框的全面屏,全面屏包括异形屏和非异形屏。非异形屏只是改变了屏幕尺寸,上下部分留出空间给必要的部件。异形屏是在屏幕上设置有待开孔区域,去除待开孔区域内的功能层后,再对待开孔区域的柔性基板进行刻蚀,从而形成孔洞,用来安放摄像头、听筒、传感器等部件。
但是,由于待开孔区域内的功能层中的薄膜封装层、金属电极等无机层较难完全刻蚀清除,其会残留在柔性基板表面,残留的材料会对后续刻蚀柔性基板造成影响,使得柔性基板的刻蚀不均匀。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决现有显示基板在开孔过程中,待开孔区域内的功能层无法完全去除,残留的材料会对后续开孔造成影响的问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底基板第一表面的待开孔区域之上至少形成覆盖所述待开孔区域的遮挡层;
在所述遮挡层之上形成功能层;
在所述衬底基板的第二表面,对所述待开孔区域进行开孔,以贯穿至所述衬底基板的所述第一表面。
可选地,通过一次构图工艺在所述衬底基板第一表面的待开孔区域之上形成至少两层遮挡层,并使所述至少两层遮挡层在所述衬底基板的投影面积由靠近所述衬底基板一侧向远离所述衬底基板一侧逐渐增大,以形成阶梯状结构。
可选地,所述通过一次构图工艺在所述衬底基板第一表面的待开孔区域之上形成至少两层遮挡层,包括:
在所述衬底基板第一表面的待开孔区域之上依次形成至少两层介质薄膜层,所述至少两层介质薄膜层材料的刻蚀速率由靠近所述衬底基板一侧向远离所述衬底基板一侧逐渐减小;
在所述至少两层介质薄膜层远离所述衬底基板一侧表面形成光刻胶图案,所述光刻胶图案包括光刻胶保留区域以及光刻胶去除区域,其中,所述光刻胶去除区域位于所述光刻胶保留区域的两侧;
采用刻蚀液对所述光刻胶去除区域进行刻蚀,以形成所述至少两层遮挡层。
可选地,所述刻蚀液包括硝酸、乙酸、磷酸中的一种或几种混合。
可选地,相邻的所述介质薄膜层材料的刻蚀速率相差大于2um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的