[发明专利]一种改性胶体量子点薄膜的声表面波气体传感器及其制备方法有效
申请号: | 201911149230.3 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110845152B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 罗景庭;付琛;李慧;范平;郑壮豪;梁广兴 | 申请(专利权)人: | 惠雨恩科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;G01N29/02;H03H9/64 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明区凤凰街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改性 胶体 量子 薄膜 表面波 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种改性胶体量子点薄膜的声表面波气体传感器的制备方法,其特征在于,包括步骤:
A、提供声表面波延迟线,在所述声表面波延迟线的延迟区域涂覆胶体量子点溶液,形成胶体量子点薄膜;
B、采用离子束或等离子体辐照所述胶体量子点薄膜,即得改性胶体量子点薄膜的声表面波气体传感器;步骤B中,所述离子束或等离子体的能量为0.1-0.6KV,和/或所述辐照的时间为1-10s;所述胶体量子点薄膜的厚度为0.1-1μm。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤A中,所述胶体量子点溶液由一种或多种胶体量子点溶于溶剂得到,所述胶体量子点由湿化学法制备得到。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述胶体量子点为II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或II-VI族化合物。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述胶体量子点为SnS、PbS、SnSe或PbSe。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤A中,所述涂覆的方式选自刮涂、喷涂、旋涂、滴涂、浸涂中的一种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤A中,所述声表面波延迟线包括衬底、凸设于所述衬底上的输入叉指换能器和输出叉指换能器,所述延迟区域是指所述输入叉指换能器与输出叉指换能器之间的区域。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤B中,所述离子束为氩离子束或氮离子束,所述等离子体为氧等离子体。
8.一种改性胶体量子点薄膜的声表面波气体传感器,其特征在于,采用权利要求1-7任一所述的制备方法制得。
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