[发明专利]高稳定性银纳米线/氧化石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.高稳定性银纳米线/氧化石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)、银纳米线墨水和氧化石墨烯墨水的制备：

以银纳米线分散液为前驱体溶液，与助剂混合，得AgNW墨水；AgNW墨水中，AgNW的浓度为0.1～20mg/mL；

以氧化石墨烯分散液为前驱体溶液，与助剂混合，得GO墨水；GO墨水中，GO的浓度为0.1～1mg/mL；

助剂由粘结剂、表面活性剂和溶剂组成；

所述粘结剂为羟乙基纤维素、甲基纤维素、聚阴离子纤维素、纤维素烷基醚、纤维素羟烷基醚中的至少一种，

粘结剂在AgNW墨水中的浓度为0.5～30mg/mL，

粘结剂在GO墨水中的浓度为0.5～30mg/mL；

所述表面活性剂为Zonyl TBS、Zonyl FSE、Zonyl FSD、FC-4430中的至少一种，

表面活性剂在AgNW墨水中的浓度为0.01～10mg/mL，

表面活性剂在GO墨水中的浓度为0.01～10mg/mL，

所述溶剂为无水乙醇、去离子水、丙酮或乙二醇；

2)、透明薄膜基底的预处理：

将基底进行清洗处理，得预处理后基底；

3)、AgNW/GO复合薄膜的制备：

先在预处理后基底上涂布AgNW墨水至所形成的湿膜的厚度为10～50μm，然后于40～50℃固化15～20min，从而形成AgNW薄膜；

接着在AgNW薄膜上涂布GO墨水至所形成的湿膜的厚度为10～50μm，然后于40～50℃固化15～20min，从而形成AgNW/GO复合薄膜；

4)、AgNW/GO复合薄膜的热处理：

将步骤3)所得物置于烘箱中于100～120℃进行热处理1～2h，形成AgNW/GO复合透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的高稳定性银纳米线/氧化石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：

所述步骤2)中：

分别用去离子水、乙醇和丙酮将基底超声清洗20-30min，再用紫外臭氧清洗仪表面处理5-20min。

3.根据权利要求2所述的高稳定性银纳米线/氧化石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，基底为PET、PVA、玻璃或硅片。

4.根据权利要求1～3任一所述的高稳定性银纳米线/氧化石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，涂布方式为迈耶棒刮涂、喷涂或旋涂。

5.根据权利要求1所述的高稳定性银纳米线/氧化石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：

AgNW墨水中，AgNW的浓度为2～3.5mg/mL；

GO墨水中，GO的浓度为0.1～0.3mg/mL。