[发明专利]一种阵列结构硅基靶板及其应用

权利要求书

1.一种阵列结构硅基靶板，其特征在于：所述阵列结构硅基靶板包括点样区和外围区，其中，所述点样区具有微纳米结构阵列；所述微纳米结构阵列包括数个微纳米结构；所述微纳米结构的高度为10 nm-100 µm，等效直径或者等效边长为10 nm-100 µm，所述相邻微纳米结构之间的距离为10 nm-10 µm；所述点样区形状为凹陷或者凸起的圆形或正多边形，其中，正多边形包括正方形、正三角形或者正六边形；正多边形点样区的边长为10 µm-5 mm，圆形点样区的直径为10 µm-5 mm；所述凹陷的深度或者所述凸起的高度为10 nm-100 µm，所述相邻点样区之间的距离为10 µm-10 mm；所述微纳米结构的高度小于或等于所述点样区凹陷的深度；所述微纳米结构阵列还包括裹附在微纳米结构表面的材料层。

2.如权利要求1所述的阵列结构硅基靶板，所述材料层采用单层或者多层，所述材料层厚度为5 nm-1 µm。

3.如权利要求1所述的阵列结构硅基靶板，其特征在于，所述材料层的材料可采用金属、金属氧化物、金属氮化物或者高分子聚合物，或所述材料的组合。

4.如权利要求3所述的阵列结构硅基靶板，其特征在于，所述金属包括Au、Ag、Cu、Al、Ti、Rh、Ni、Pt中的至少一种或其组合；所述金属氧化物包括Al₂O₃、ZnO、TiO₂、ZrO₂中的至少一种或其组合；所述金属氮化物包括TiN、GaN、AlN中的至少一种或其组合；所述高分子聚合物包括聚乙烯、聚氯乙烯、酚醛树脂中的至少一种或其组合。

5.如权利要求1所述的阵列结构硅基靶板，其特征在于，所述微纳米结构的形状包括锥状、柱状、桶状、瓶状、碗状、球状、半球状中的一种。

6.一种阵列结构硅基靶板在质谱检测中的应用，其特征在于，所述的阵列结构硅基靶板是权利要求1～5任一项所述的阵列结构硅基靶板。

7.如权利要求6所述的应用，其特征在于，所述的质谱为电子轰击质谱 (EI-MS)、场解吸附质谱 (FD-MS)、快原子轰击质谱 (FAB-MS)、基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS) 或电子喷雾质谱 (ESI-MS)。

8.一种阵列结构硅基靶板在拉曼检测中的应用，其特征在于，所述的阵列结构硅基靶板是权利要求1～5任一项所述的阵列结构硅基靶板。