[发明专利]一种小型化超宽带功率放大模块

说明书

本发明提供了一种小型化超宽带功率放大模块，包括依次级联连接的小信号放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器，且小信号放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器均安装于同一PCB板上。本发明将小信号放大器、GaAs功率放大器集成在一块PCB板上，且皆为50欧姆内匹配，馈电电路简单，有利于减小整体尺寸，PCB板通过焊锡与镀银铜散热基板焊接在一起，增加了接地性能和导热性能，提高整个500MHz至2700MHz超宽带功率50W放大模块的可靠性。

技术领域

本发明属于功率放大器技术领域，尤其是涉及一种小型化超宽带功率放大模块。

背景技术

功放模块是电子信息技术中非常常用的器件，主要应用在一些需要进行超宽带信号功率放大的场合，典型应用在信号发射领域的一些产品上。其性能影响到仪器设备的性能优劣和运行可靠性，在电子通信中具有非常重要的作用。但是现有技术的功放模块存在有体积大、效率低、可靠性低的问题。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种小型化超宽带功率放大模块。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种小型化超宽带功率放大模块，包括依次级联连接的小信号放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器，且小信号放大器、GaAs功率放大器和GaN HEMT功率放大器均安装于同一PCB板上。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，小信号功率放大器为输入输出50欧姆内匹配,用于对500MHz至2700MHz频段内所有频率信号进行放大。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述GaAs功率放大器为输入输出50欧姆内匹配，用于对500MHz至2700MHz频段内所有频率信号进行放大。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述GaN HEMT功率放大器用于对500MHz至2700MHz频段内所有频率信号进行放大。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述GaN HEMT功率放大器通过负载牵引将输入输出阻抗在500MHz至2700MHz频段内匹配到50欧姆。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述PCB板上通过焊锡固定有散热基板。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述PCB板上开设有开槽，所述GaN HEMT功率放大器安装在所述开槽内且通过焊锡固定在所述散热基板上。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述散热基板为镀银铜块。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述PCB板的板材型号为RO4350B。

在上述的小型化超宽带功率放大模块中，所述PCB板厚度为10-30mi l。

本发明的优点在于：小信号放大器、GaAs功率放大器皆为50欧姆内匹配，馈电电路简单，有利于减小整体尺寸；GaN HEMT功率放大器在500至2700MHz频段内通过负载牵引进行输入输出匹配，增加了放大器的可靠性；PCB板通过焊锡与镀银铜散热基板焊接在一起，增加了接地性能和导热性能，提高整个500MHz至2700MHz超宽带功率50W放大模块的可靠性。

附图说明

图1是本发明小型化超宽带功率放大模块的原理框图；

图2是本发明小型化超宽带功率放大模块的结构示意图；

图3是本发明小型化超宽带功率放大模块中GaN HEMT功率放大器的安装示意图。

附图标记：小信号放大器1；GaAs功率放大器2；GaN HEMT功率放大器3；PCB板4；散热基板5。

具体实施方式