[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911147883.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN110854185A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 廖文甲 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/335;H01L29/778;H01L29/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包含：
一基板；
一沟道层，置于该基板上或该基板上方，其中该沟道层中具有一二维电子气通道；
一间隔层，置于该沟道层上并与该沟道层接触；
一阻挡层，置于该间隔层上并与该间隔层接触；以及
一氧化披覆层，置于该阻挡层上并与该阻挡层接触，其中该氧化披覆层的材质为氮氧化物；
一源极与一漏极，置于该阻挡层上或该阻挡层上方；
一栅极，至少置于该氧化披覆层上或该氧化披覆层上方，位于该源极与该漏极之间，其中，该间隔层具有一氧化区域，该氧化披覆层具有一第一凹槽，且该阻挡层具有一第二凹槽，该第一凹槽与该第二凹槽一并暴露至少一部分的该氧化区域，且至少一部分的该栅极置于该第一凹槽与该第二凹槽中；以及
一保护层，置于该氧化披覆层上，且至少一部分的该保护层置于该氧化披覆层与该栅极之间，且至少一部分的该保护层与该阻挡层接触。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该间隔层的厚度小于5纳米。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该间隔层的材质为氮化铝。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化披覆层的厚度小于5纳米。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该阻挡层的材质为氮化镓铝(AlxGa(1-x)N)，且0.1≤x≤0.4。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化区域的厚度与该间隔层的厚度相同。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该氧化披覆层的材质为氮氧化铝。
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