[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体衬底，其具有表面和背面；

第一电极，其设置于所述表面之上；以及

第二电极，其设置于所述背面之上，

所述半导体衬底包含：元件区域，其包含第一半导体元件；以及外周区域，其包围所述元件区域，

所述第一半导体元件包含：n^-漂移区域；p基极区域；n⁺发射极区域，其与所述第一电极接触；栅极绝缘膜，其设置于所述n⁺发射极区域和所述n^-漂移区域间的所述p基极区域的部分之上；栅极电极，其隔着所述栅极绝缘膜而与所述p基极区域的所述部分相对；n缓冲层，其与所述n^-漂移区域接触，并且相对于所述n^-漂移区域设置于所述背面侧；以及p集电极层，其与所述n缓冲层及所述第二电极接触，并且相对于所述n缓冲层设置于所述背面侧，

所述n^-漂移区域、所述n缓冲层及所述第二电极从所述元件区域延伸至所述外周区域，

所述p集电极层也设置于所述外周区域，

在所述外周区域设置有n型区域，所述n型区域与所述第二电极、所述n缓冲层接触，位于所述外周区域的内侧部分处的所述n型区域相对于位于所述外周区域处的所述n型区域的第一面积比例比位于所述外周区域的外侧部分处的所述n型区域相对于位于所述外周区域处的所述n型区域的第二面积比例大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述n型区域具有比所述n缓冲层高的电子浓度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述n型区域与所述元件区域的外周端分离至少大于或等于所述半导体衬底的厚度的距离，所述半导体衬底的所述厚度被定义为所述外周端处的所述表面和所述背面之间的距离。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在从所述背面进行的俯视观察中，形成于所述外周区域的全部所述n型区域被所述p集电极层包围。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在从所述背面进行的俯视观察中，所述n型区域相对于所述外周区域的第三面积比例比所述p集电极层相对于所述外周区域的第四面积比例小。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述n型区域形成为包围所述元件区域的大于或等于1个环状。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述n型区域包含多个n型区域部分，

所述多个n型区域部分分散地配置于所述外周区域。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述元件区域还包含第二半导体元件，

所述第二半导体元件包含相对于所述n^-漂移区域设置于所述表面侧的p阳极层、以及相对于所述n^-漂移区域设置于所述背面侧的n⁺阴极层。