[发明专利]硫系玻璃基底激光、中波红外、长波红外复合减反射薄膜

权利要求书

1.一种硫系玻璃基底低剩余反射率减反射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)基片清洁：用蘸抛光粉溶液及清洁剂对待镀膜硫系玻璃表面进行清洁；

(2)基片加热：镀膜前对镀膜零件进行烘烤加热，提高基片温度，烘烤温度为140℃～180℃，保温1～2小时；

(3)基片预清洗：镀膜前用离子源对镀膜零件进行预清洗5～10min；

(4)膜系结构设计：基片材料选择硫系玻璃Ge₁₀As₄₀Se₅₀，高折射率镀膜材料为锗Ge，中间折射率镀膜材料为硫化锌ZnS，低折射率镀膜材料为YF₃或YbF₃，采用双面镀膜方式实现低剩余反射率减反射薄膜，两面的膜系结构均为：

Sub/αH(β_iMγ_iL)^m/Air，i＝1，2，…，m，m≥5；

其中H、M依次代表1/4波长光学厚度的Ge、ZnS，L代表1/4波长光学厚度的YF₃YbF₃，膜系结构中仅第一层为Ge，作为连接硫系玻璃基底与上覆减反射膜的过渡层，α，β_i，γ_i为1/4波长光学厚度倍数，其数值大小与参考波长直接相关，并且0.1≤β_j/γ_i≤20，j＝1，2，…，m；

(5)Ge膜层镀制：将Ge膜料放置在坩埚中，采用电子束蒸发的方法镀制，镀膜前的本底真空度高于5×10^-3Pa，膜层沉积速率为膜层沉积速率及膜层厚度通过石英晶体控制仪控制；

(6)ZnS膜层镀制：将ZnS膜料放置在坩埚或蒸发舟中，采用电子束蒸发或电阻加热蒸发的方法镀制，镀膜前的本底真空度高于5×10^-3Pa，膜层沉积速率为膜层沉积速率及膜层厚度通过石英晶体控制仪控制；

(7)YF₃或YbF₃膜层镀制：将YF₃或YbF₃膜料放置在蒸发舟中，电阻加热蒸发的方法镀制，镀膜前的本底真空度高于5×10^-3Pa，膜层沉积速率为膜层沉积速率及膜层厚度通过石英晶体控制仪控制；

(8)膜系镀制：根据膜系结构及膜层镀制工艺参数依次镀制硫系玻璃基底正反两面的各膜层；

步骤1中，先用脱脂纱布蘸酒精和乙醚的混合液1:1初步擦拭基片，再用粒度W0.1的金刚石抛光液均匀擦拭镜片待镀膜表面，最后用脱脂纱布和脱脂棉布蘸酒精和乙醚的混合液1：1擦拭基片表面，用哈气法检查基片表面，直至无油污、尘粒、擦痕为止；

步骤2中，清洁真空室，并将Ge、ZnS及YbF₃膜料分别放置在蒸发坩埚及蒸发舟中；将清洁好的基片在镀膜夹具中，再将镀膜夹具放置到真空室工件架上；打开真空抽汲系统，当真空度达到1×10^-2Pa时，旋转工件架，转速为12转/分钟，打开真空室烘烤，加热基片温度至170℃，保温1小时；

步骤3中，镀膜前用离子源对镀膜零件进行预清洗5min，离子束压为220V，离子束流为110mA；

步骤4中，基片材料选择硫系玻璃材料Ge₁₀As₄₀Se₅₀，具体膜系为：

Sub/0.26H 0.31M 0.18L 2.08M 0.18L 4.04M 0.32L 3.22M 0.32L 2.96M 0.2L2.78M 0.2L 0.31M 0.32L 1.35M 0.9L 2.98M 1.03L 0.49M 6.06L 0.9M 1.38L 0.77M7.35L 0.31M 2.47L/Air

其中H、M、L分别代表1/4波长光学厚度的Ge、ZnS和YbF₃，Sub为基底，Air为空气。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中，采用电子束蒸发的方法镀制Ge膜时，膜层沉积速率为

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中，采用电子束蒸发或电阻加热蒸发的方法镀制ZnS膜时，膜层沉积速率为