[发明专利]芯片内建电感结构

权利要求书

1.一种芯片内建电感结构，其特征在于，包括：

第一绕线部及第二绕线部，依一对称轴相互对称设置于绝缘层内，每一绕线部包括由内而外同心排列的第一半圈型导线层及第二半圈型导线层，且每一半圈型导线层具有第一端及第二端；

第一输入/输出导电部及第二输入/输出导电部，分别沿该对称轴延伸方向设置于该绝缘层内而分别电性耦接最外围的该多个半圈型导线层的该多个第一端；以及

导电分支结构，沿该对称轴设置于该绝缘层内而位于该第一输入/输出导电部及该第二输入/输出导电部之间，且电性耦接最中心的该多个半圈型导线层的该多个第一端，其中该导电分支结构具有接地的第一端以及电性耦接至一电路的第二端，且该导电分支结构的该第二端相对于该导电分支结构的该第一端。

2.如权利要求1所述的芯片内建电感结构，其中该第一绕线部的该第一半圈型导线层的该第一端与该第二绕线部的该第一半圈型导线层的该第一端连接，该多个第一半圈型导线层为最中心的该多个半圈型导线层。

3.如权利要求1所述的芯片内建电感结构，还包括：

第一连接层对，设置于该绝缘层内，连接该第一绕线部的该第一半圈型导线层的该第二端与该第二绕线部的该第二半圈型导线层的该第二端，以及连接该第一绕线部的该第二半圈型导线层的该第二端与该第二绕线部的该第一半圈型导线层的该第二端。

4.如权利要求3所述的芯片内建电感结构，其中该第一连接层对包括上跨接层以及下跨接层。

5.如权利要求3所述的芯片内建电感结构，其中最中心的该多个半圈型导线层为该多个第一半圈型导线层，该导电分支结构包括：

第一分支部，自该多个第一半圈型导线层的该多个第一端朝该多个第一半圈型导线层的该第二端延伸；以及

第二分支部，自该多个第一半圈型导线层的该多个第一端朝该多个第二半圈型导线层的该第一端延伸。

6.如权利要求5所述的芯片内建电感结构，其中该第一分支部位于该绝缘层内的该第二分支部与该第一连接层对之间的一层位。

7.如权利要求5所述的芯片内建电感结构，其中该第二分支部位于该绝缘层内的该第一分支部与该第一连接层对之间的一层位。

8.如权利要求5所述的芯片内建电感结构，其中该导电分支结构延伸超出该多个第二半圈型导线层的该第一端及该第二端。

9.如权利要求1所述的芯片内建电感结构，其中该导电分支结构为连续单层结构。

10.如权利要求1所述的芯片内建电感结构，其中该多个第一及第二绕线部的该多个第一及第二半圈型导线层具有相同的线宽。

11.如权利要求10所述的芯片内建电感结构，其中该导电分支结构具有一线宽大于或等于该多个第一及第二半圈型导线层的该线宽。

12.如权利要求1所述的芯片内建电感结构，其中该多个第一及第二绕线部构成为圆型的外型。

13.如权利要求1所述的芯片内建电感结构，还包括防护环，位于该绝缘层内，其中从上视角度来看，该防护环围绕该第一绕线部及该第二绕线部。

14.如权利要求13所述的芯片内建电感结构，其中该防护环位于该绝缘层内的该导电分支结构下方的一层位。