[发明专利]一种陶瓷电路无氰镀铜溶液、配制方法及电镀工艺在审

专利信息
申请号: 201911144713.4 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN110952118A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 孙林;张超;檀晓海;程凯 申请(专利权)人: 中电国基南方集团有限公司
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;C25D5/54
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 陈鹏
地址: 211153 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 陶瓷 电路 镀铜 溶液 配制 方法 电镀 工艺
【说明书】:

发明公开了一种陶瓷电路无氰镀铜溶液、配制方法及电镀工艺,所述无氰镀铜溶液主要包含:氯化铜15~20g/L,碱式碳酸铜30g~50g/L,乙二胺四亚甲基磷酸钠5~8g/L,酒石酸钾钠18g~25g/L,柠檬酸280g~320g/L,碳酸氢钠15~18g/L,二氧化硒0.02~0.03g/L,氢氧化钾适量。本发明的镀铜溶液为无氰镀铜,绿色环保,选用原料价格便宜,配制成本较低;该镀铜配方溶液在陶瓷电路基底上镀覆得到的镀铜层细致均匀、孔隙率低、结合力良好。

技术领域

本发明属于陶瓷电路镀覆技术领域,特别是一种陶瓷电路无氰镀铜溶液、配制方法及电镀工艺。

背景技术

陶瓷电路是在陶瓷基板上制得的一种互连电路结构,具有互连密度高、线条精度高等特点,可实现小孔金属化,被用于制备集成电阻、电容、电感等无源元件以及高功率电路,在机载、星载、航天等领域有着广泛的应用。陶瓷电路除了要具备合格的电性能外,还应满足后道组装工艺的技术要求。金属铜具有电阻率低,可靠性高,互连线尺寸小,密度高,以及抗迁移能力高等特点,其电阻系数与金、镍等薄膜电路常用的金属相比更小,作为陶瓷电路的主体层时电路损耗很小,且生产成本较低,因此铜是陶瓷电路镀层中非常重要的一种金属。铜层的质量会直接影响到电路的整体性能。

现有的陶瓷电路镀铜工艺可分为氰化物镀铜和无氰镀铜两种。氰化物镀铜由于含有氰化物,镀液具有很强的毒性,会对环境造成很大的污染,因此已逐渐被禁止使用。无氰镀铜由于毒性较小,已得到越来越广泛的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种陶瓷电路无氰镀铜溶液、配制方法及电镀工艺。

实现本发明目的的技术解决方案为:一种陶瓷电路无氰镀铜溶液,主要包含:氯化铜15~20g/L,碱式碳酸铜30g~50g/L,乙二胺四亚甲基磷酸钠5~8g/L,酒石酸钾钠18g~25g/L,柠檬酸280g~320g/L,碳酸氢钠15~18g/L,二氧化硒0.02~0.03g/L,氢氧化钾适量,氢氧化钾用于调节溶液pH值,使pH满足9~10。

一种陶瓷电路无氰镀铜溶液的配置方法,配制流程为:

将柠檬酸用纯水溶解后加入氢氧化钾直至混合溶液pH值介于3~4之间,后向溶液中加入氯化铜与碱式碳酸铜,并全部溶解;

在强烈搅拌状态下向溶液中加入氢氧化钾;

最后向溶液中加入乙二胺四甲基磷酸钠、碳酸氢钠及二氧化硒的混合溶液,搅拌均匀后完成配制。

一种基于陶瓷电路无氰镀铜溶液的镀覆工艺,包括以下步骤:

除油:清除陶瓷电路表面污染物;

自来水清洗:去除除油过程残留的溶液;

盐酸活化:使用50%盐酸去除基底材料存在的氧化层,露出待镀基底;

纯水水洗:去除活化过程残留的溶液;

预镀铜:大电流冲击镀铜;

纯水水洗:去除预镀过程残留的溶液;

镀铜:利用陶瓷电路无氰镀铜溶液在陶瓷电路基底上镀覆得到一层铜镀层,溶液温度:35~55℃,pH:9~10,电流密度:0.5A/dm2~3A/dm2

与现有技术相比,本发明的有益效果为:(1)本发明的镀铜溶液为无氰镀铜,绿色环保,对环境危害性较小;(2)镀铜溶液配方法制选用原料价格便宜,配制成本较低;(3)溶液静止4个月以上无明显沉淀物出现,镀液稳定性较好,该溶液电流密度范围较为宽泛,电流效率较高,溶液分散能力与覆盖能力良好;(4)该镀铜配方溶液在陶瓷电路基底上镀覆得到的镀铜层细致均匀、孔隙率低、结合力良好。

具体实施方式

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