[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置在审
申请号: | 201911143764.5 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN112825331A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 张云天;芮洲;江鹏;杨海鹏;戴珂;张春旭;吴忠厚;田丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王晓燕 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 以及 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极,其中,
所述栅极包括:
第一主体部分,沿第一方向延伸;以及
第一延伸部分,基本沿所述第一方向延伸,与所述第一主体部分电连接,且与所述第一主体部分间隔开第一间隔;
所述第一电极包括:
第一重叠端,在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
第一补偿端,位于所述第一重叠端的远离所述第一主体部分的一侧,在所述衬底基板上的正投影的与所述第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;以及
第一居间部分,连接所述第一重叠端和所述第一补偿端,在所述衬底基板上的正投影位于所述第一间隔在所述衬底基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,
所述第一居间部分包括沿所述第一方向延伸的条形部;
所述第一电极包括:
多个第一部分,与所述条形部连接,位于所述条形部的靠近所述第一主体部分的第一侧,且沿所述第一方向间隔排列;以及
多个第二部分,与所述条形部连接,位于所述条形部的靠近所述第一延伸部分的第二侧,且沿所述第一方向间隔排列,并且
所述第一重叠端包括所述多个第一部分的每个的至少部分,所述第一补偿端包括所述多个第二部分的每个的至少部分。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,所述多个第一部分与所述多个第二部分一一对应,所述多个第一部分和所述多个第二部分以所述条形部为对称轴呈轴对称。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其中,
所述多个第一部分与所述第一方向垂直,且所述多个第二部分与所述第一方向垂直。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其中,
所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
所述第二电极包括沿所述第一方向排列且沿远离所述第一延伸部分的方向凹陷的多个第一凹陷部分,所述第一电极还包括与所述多个第一部分一一对应的多个第一突出部分,所述多个第一突出部分的每个和与其对应的所述第一部分连接,所述多个第一突出部分分别一一对应地延伸入所述多个第一凹陷部分中;并且
所述第一重叠端还包括所述多个第一突出部分。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其中,所述第一主体部分具有靠近所述第一延伸部的边缘,该边缘在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一部分在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述多个第一部分的每个在所述第一方向上的宽度大于与其连接的所述第一突出部的在所述第一方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度大于0,并且小于或等于3μm;
第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度与第一主体部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度的比为0.2~0.3。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述栅极还包括第一连接部分,所述第一连接部分连接所述第一主体部分和所述第一延伸部分,所述第一连接部分在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影均不重叠。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其中,
所述第一延伸部分在所述第一方向上具有第一端和第二端,所述第一主体部分在所述第一方向上具有第一端和第二端;
所述第一连接部分连接所述第一延伸部分的第一端与所述第一主体部分的第一端;并且
所述第一延伸部分的第二端和所述第一主体部分的第二端位于所述第一连接部分的同一侧。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其中,所述第一方向与水平方向之间的夹角大于0度且小于90度。
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