[发明专利]高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，所述双极晶体管选取晶向为(001)的N型掺杂的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底上外延一层Ge组分渐变的N型SiGe层，作为亚集电区，并在所述SiGe层右侧区域进行N+掺杂；在所述SiGe层表面淀积一层1-2微米厚的SiO₂层以定义有源区的位置；在所述有源区依次外延作为集电区的N型In_1-xGa_xP层，作为基区的P型SiGe层和本征Si帽层；在所述1-2微米厚的SiO₂层和本征Si帽层表面依次淀积氮化物层和氧化物层，刻蚀所述氮化物层和氧化物层，在刻蚀后的氮化物层和氧化物层表面再次淀积氧化层并刻蚀，形成边墙氧化层；在所述边墙氧化层上淀积多晶硅作为发射区；在上述得到的器件表面外延一层氧化层，作为发射区的表面覆盖氧化层，刻蚀所述表面覆盖氧化层以及所述氮化物层上的氧化物层，刻蚀氮化物层，在氮化物所在位置选择性外延多晶硅层并刻蚀，作为非本征基区；淀积非本征基区的边墙氧化层；分别刻蚀发射区、非本征基区和亚集电区，并淀积金属硅化物，以形成发射极、基极和集电极接触。

2.根据权利要求1所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，采用N型In_1-xGa_xP，作为SiGe-HBT的集电区材料，并选择In和Ga的组分摩尔比x，0≤x≤1，使得所述集电区材料和所述亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数。

3.根据权利要求1所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，采用SiGe/Si结构异质外延N型In_1-xGa_xP材料作为集电区。

4.根据权利要求1所述的高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管，其特征在于，在所述有源区采用MBE的方法依次外延作为集电区的N型In_1-xGa_xP层，P型SiGe层和本征Si帽层。