[发明专利]形成封装的方法以及集成电路器件的封装

说明书

一种方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔、在所述半导体衬底上形成第一介电层、以及在所述介电层中形成多个接合焊盘。所述多个接合焊盘包括有源接合焊盘和伪接合焊盘。所述有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔。所述第一管芯接合至第二管芯，所述有源接合焊盘和所述伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。本发明的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。

技术领域

本发明的实施例涉及形成封装的方法、以及集成电路器件的封装。

背景技术

集成电路的封装正变得越来越复杂，其中更多的器件管芯封装在同一封装中以实现更多功能。例如，已经开发了一种封装结构，以在同一封装中包括多个器件管芯，比如，处理器和存储器立方体。封装结构可包括使用不同技术形成的器件管芯，并具有结合到相同的器件管芯的不同功能，从而形成系统。这可节省制造成本并优化器件性能。例如，存储器管芯可接合至逻辑管芯。此外，存储器管芯可形成存储器管芯叠层，其中上部存储器管芯接合至对应的下部存储器管芯。

发明内容

根据本发明一方面的实施例，提供一种形成封装的方法，包括：抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔；在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层中形成多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘包括第一有源接合焊盘和第一伪接合焊盘，其中，所述第一有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔；以及将所述第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一有源接合焊盘和所述第一伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘。

根据本发明又一方面的实施例，提供一种形成封装的方法，包括：形成第一管芯，所述第一管芯包括第一半导体衬底、以及穿透所述第一半导体衬底的第一通孔；形成第二管芯，所述第二管芯包括第二半导体衬底、穿透所述第二半导体衬底的第二通孔、第一有源接合焊盘、以及第一悬空接合焊盘；以及在所述第一管芯上接合所述第二管芯，其中，通过所述第一管芯和所述第二管芯之间的第二有源接合焊盘将所述第一有源接合焊盘电耦接至第一管芯，以及将所述第一悬空接合焊盘接合至所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一伪焊盘。

根据本发明再一方面的实施例，提供一种集成电路器件的封装，所述封装包括：第一管芯，所述第一管芯包括第一半导体衬底、穿透所述第一半导体衬底的第一通孔、以及位于所述第一半导体衬底上并与所述第一半导体衬底接触的第一介电层；第二介电层，所述第二介电层位于所述第一管芯上；第一有源接合焊盘，所述第一有源接合焊盘位于所述第二介电层中，所述第一有源接合焊盘位于所述第一通孔上并与所述第一通孔接触；第一伪接合焊盘，所述第一伪接合焊盘位于所述第二介电层中，其中，所述第一伪接合焊盘的整个底面位于所述第一介电层上并与所述第一介电层接触；以及第二管芯，所述第二管芯包括位于所述第一有源接合焊盘上并与所述第一有源接合焊盘接合的第二有源接合焊盘、以及位于所述第一伪接合焊盘上并与所述第一伪接合焊盘接合的悬空接合焊盘。

本发明涉及管芯与悬空接合焊盘的接合结构。

附图说明

当与附图一起阅读时，从下面的详细描述可以最好地理解本发明的各方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图4示出了根据一些实施例的形成伪管芯的中间阶段的截面图。

图5至图10示出了根据一些实施例的形成器件管芯的中间阶段的截面图。

图11至图23示出了根据一些实施例的形成具有堆叠管芯的封装的中间阶段的截面图。

图24至图32示出了根据一些实施例的具有堆叠管芯的一些封装的截面图和俯视图。

图33示出了根据一些实施例的用于形成封装的工艺流程。

具体实施方式