[发明专利]射频装置及其电压产生装置有效
申请号: | 201911139768.6 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN112667012B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 陈智圣;蔡贤皇 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 刘民选;陆少凡 |
地址: | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 装置 及其 电压 产生 | ||
1.一种电压产生装置,其特征在于,包括:
一第一晶体管,具有一第一端被配置为接收一第一电压;
一第二晶体管,具有一第一端被配置为接收一第二电压;以及该电压产生装置进一步包含:
一分压电路,具有一第一连接端与一第二连接端分别耦接至该第一晶体管的一第二端与该第二晶体管的一第二端,其中该分压电路的该第一连接端经由该第一晶体管接收该第一电压,且该分压电路的该第二连接端经由该第二晶体管接收该第二电压,其中该分压电路对该第一连接端与该第二连接端中的至少一者的电压进行分压而产生一第一分压与一第二分压,该第一分压作为该电压产生装置的一输出电压,以及该第二分压作为一控制电压而被输出至该第一晶体管的一控制端与该第二晶体管的一控制端。
2.如权利要求1所述的电压产生装置,其特征在于,其中该第一电压为一第一控制信号,该第二电压为一第二控制信号或一系统电压。
3.如权利要求1所述的电压产生装置,其特征在于,其中当该第一电压为一高逻辑位准且该第二电压为一低逻辑位准时,该第一晶体管将该第一电压传输至该分压电路,以及该分压电路对该第一电压进行分压而产生该第一分压与该第二分压,用以使该第二分压截止该第二晶体管。
4.如权利要求1所述的电压产生装置,其特征在于,其中该第一晶体管与该第二晶体管是低压晶体管。
5.如权利要求4所述的电压产生装置,其特征在于,其中该低压晶体管的一栅源极崩溃电压小于该第一电压与该第二电压任一个的高逻辑位准。
6.如权利要求1所述的电压产生装置,其特征在于,其中该分压电路包括:
一第一二极管电路,具有一阳极耦接该分压电路的该第一连接端;
一第二二极管电路,具有一阳极耦接该分压电路的该第二连接端,其中该第二二极管电路的一阴极耦接至该第一二极管电路的一阴极以提供该第一分压;
以及一分压器,具有一第一端与一第二端分别耦接至该第一二极管电路的该阴极与一参考电压,其中该分压器对该第一分压进行分压而产生该第二分压。
7.如权利要求6所述的电压产生装置,其特征在于,其中该第一二极管电路与该第二二极管电路的任一个包括:
一第三晶体管,具有一第一端作为该阳极,其中该第三晶体管的一控制端耦接至该第三晶体管的一第二端,而该第三晶体管的该第二端作为该阴极。
8.如权利要求6所述的电压产生装置,其特征在于,其中该分压器包括:
一第一阻抗电路,具有一第一端耦接该分压器的该第一端;以及
一第二阻抗电路,具有一第一端耦接至该第一阻抗电路的一第二端以提供该第二分压,而该第二阻抗电路的一第二端耦接该分压器的该第二端。
9.如权利要求8所述的电压产生装置,其特征在于,其中该第一阻抗电路包括至少一第一二极管或至少一第一电阻,以及该第二阻抗电路包括至少一第二二极管或至少一第二电阻。
10.如权利要求1所述的电压产生装置,其特征在于,其中该分压电路包括:
一第一阻抗电路,具有一第一端耦接该分压电路的该第一连接端;
一第二阻抗电路,具有一第一端耦接该分压电路的该第二连接端;以及
一第三阻抗电路,具有一第一端耦接至该第一阻抗电路的一第二端与该第二阻抗电路的一第二端以提供该第一分压与该第二分压,其中该第三阻抗电路的一第二端耦接至一参考电压。
11.如权利要求10所述的电压产生装置,其特征在于,其中该第一阻抗电路包括至少一第一二极管或至少一第一电阻,该第二阻抗电路包括至少一第二二极管或至少一第二电阻,以及该第三阻抗电路包括至少一第三二极管或至少一第三电阻。
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