[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法。该量子点发光二极管包括包括阳极、量子点发光层、电子功能层以及阴极，所述量子点发光层设在所述阳极上，所述电子功能层设在所述量子点发光层上，所述阴极设在所述电子功能层上，所述量子点发光层朝向所述电子功能层的表面设有能够阻碍电子传输的绝缘层。该量子点发光层钝化方法包括如下步骤：(1)沉积量子点发光层，退火处理；(2)在量子点发光层上覆盖钝化剂，钝化处理；(3)清洗钝化处理后量子点发光层表面，退火处理。该量子点发光二极管的绝缘层可减少量子点及其薄膜中的缺陷、提高量子点及其薄膜的发光效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法。

背景技术

由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，例如目前已报道的红、绿QLED的外量子效率最大已超过20％，接近25％左右的理论极限；蓝光QLED的外量子效率也已超过15％。但同时，QLED也面临着诸多严峻的挑战，其中最大的就是寿命低下。

目前关于QLED寿命衰退的机制正在不断深入的研究当中，主流观点认为：电子过量是QLED寿命快速衰退的主要原因。这是因为：由于量子点独特的能级特征，导致在现有的电荷传输材料体系中，空穴注入势垒大于电子注入势垒，且空穴迁移率小于电子迁移率，因此导致了电子过量。电子过量会造成量子点俄歇复合增加、辐射复合减少；此外，一部分漏电子会运动到空穴传输材料中，导致空穴传输材料失效。因此，如何减少电子过量带来的负面影响对于提高QLED的性能尤其是寿命至关重要。

众所周知，量子点的尺寸一般在10nm左右或者小于10nm，因此其表面存在大量的点缺陷，例如：未配位的悬空键；同时，量子点薄膜也会存在晶粒间界。悬空键以及晶粒间界等都会成为电子捕获中心，为过量的电子提供传输通道，继而引起不利的俄歇复合或者热弛豫等，降低量子点的荧光量子效率。

发明内容

基于此，有必要提供一种可减少量子点及其薄膜中的缺陷、提高量子点及其薄膜的发光效率，在一定程度上缓解电子过量的问题的量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法。

一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层、电子功能层以及阴极，所述量子点发光层设在所述阳极上，所述电子功能层设在所述量子点发光层上，所述阴极设在所述电子功能层上，所述量子点发光层朝向所述电子功能层的表面设有能够阻碍电子传输的绝缘层。

在其中一个实施例中，所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层；

所述量子点发光层朝向所述电子传输层或所述电子注入层的表面设有所述绝缘层。

在其中一个实施例中，还包括空穴功能层；所述空穴功能层设在所述阳极上，所述量子点发光层设在所述空穴功能层上。

在其中一个实施例中，所述绝缘层包括硫酸镉物质、磷酸镉物质、硫酸铅物质、磷酸铅物质中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述绝缘层通过采用钝化剂对所述量子点发光层进行钝化处理而形成，所述钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。

在其中一个实施例中，所述绝缘层的厚度为2nm-10nm。

一种量子点发光层钝化方法，包括如下步骤：

(1)形成量子点发光层，对所述量子点发光层进行退火处理；