[发明专利]静电防护装置及方法在审
申请号: | 201911138918.1 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110970419A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 龙蜚声 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 防护 装置 方法 | ||
本发明公开一种静电防护装置及方法,所述静电防护装置包括:一驱动芯片;一主控芯片,与所述驱动芯片电性连接;所述主控芯片包括一初始代码发送模块,所述初始代码发送模块用于发送一初始代码至所述驱动芯片;所述驱动芯片根据所述初始代码将所述静电防护数值信息重置为所述初始静电防护数值信息。当显示面板受到ESD干扰导致画面异常时,驱动芯片中的寄存器数值,主控芯片中的检测模块每隔一预设时间检测一次寄存器中的数值,当检测到寄存器中数值发生改变时,主控芯片可快速对寄存器中的数值进行复位,使得画面恢复正常,确保用户察觉不到异常画面的出现。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种静电防护装置及方法。
背景技术
ESD(Electro-Static Discharge,静电释放)事件是具有有限能量的高电势,其通过使电流流过栅氧化物造成氧化物弱化,或者通过达到足够的电势来使氧化物破裂,造成与另一器件端子的栅短路(低电阻通路),以损坏场效应晶体管(FET)的栅氧化物。ESD事件可以通过人体或机械诸如晶片切割器引起。
ESD保护电路由正导通电压钳(clamp)和负导通电压钳组成。正导通电压钳应该考虑信号的电压摆动。保护电路必须被设计为使预设电压下的ESD电流降低。在大多数的ESD保护电路中,虽然正导通电压钳的设计需要很大注意,但是负导通电压钳只被设计为在器件击穿之前降低在任何电压下的ESD电流。典型地,负导通电压钳简单地使用了正向二极管(forward diode)。
当液晶显示面板受到外部较强ESD静电(如16KV)时,可能会使驱动芯片受到干扰,导致驱动芯片内部相关寄存器数值出现错乱,造成画面显示异常。通常要通过硬件手动关机后再上电复位,使驱动芯片内部的寄存器恢复正确数值。
当驱动芯片内部的寄存器数值异常时,驱动芯片无法通过软件及时回读到ESD设定寄存器异常,无法使驱动芯片自动纠正其寄存器数值,在硬件不断电的情况下,无法做复位动作,造成异常画面持续显示。
发明内容
为了解决上述问题,本发明实施例提供了一种静电防护装置及方法,能够有效解决在硬件不断电的情况下无法做复位动作所造成异常画面持续显示的问题。
根据本发明的一方面,本发明实施例提供了一种静电防护装置,包括:一驱动芯片;一主控芯片,与所述驱动芯片电性连接;所述主控芯片包括一初始代码发送模块,所述初始代码发送模块用于发送一初始代码至所述驱动芯片;所述驱动芯片根据所述初始代码将所述驱动芯片中的一当前静电防护数值信息重置为一初始静电防护数值信息。
进一步地,所述主控芯片还包括一检测模块,与所述初始代码发送模块电性连接;所述检测模块用于判断所述当前静电防护数值信息与初始静电防护数值信息是否一致。
进一步地,所述主控芯片还包括一定时器,所述定时器与所述检测模块电性连接;所述定时器用于设置一预设时间,并且每隔所述预设时间发送一检测信号至所述检测模块。
进一步地,所述预设时间为0.5秒至2秒。
进一步地,所述驱动芯片还包括一寄存器,所述寄存器用于存储所述当前静电防护数值信息。
根据本发明的另一方面,本发明实施例还提供了一种静电防护方法,包括以下步骤:一主控芯片获取一驱动芯片中的一当前静电防护数值信息;所述主控芯片判断所述当前静电防护数值信息与初始静电防护数值信息是否一致;当所述主控芯片判断出所述当前静电防护数值信息与所述初始静电防护数值信息为不一致时,则所述主控芯片发送一初始代码至所述驱动芯片;以及所述驱动芯片根据所述初始代码将当前静电防护数值信息重置为所述初始静电防护数值信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的