[发明专利]一种带匹配的射频收发开关电路

说明书

本发明公开了一种带匹配的射频收发开关电路，包括：射频功率放大器PA的负载Balun、第一收发开关K1、第二收发开关K2、第三收发开关K3、第一电容C1、第二电容C2、电感L1；其中，所述负载Balun的初级线圈连接用于输出大功率信号的放大电路PA，所述负载Balun的初级线圈与所述PA的连接端连接第三收发开关K3；所述第三收发开关K3另一端连接公共接地端VSS；所述负载Balun的次级线圈的两端连接第一电容C1的一端和第二电容C2的一端；所述电感L1的两端分别连接所述第一电容C1的另一端和所述第二电容C2的另一端；所述第二收发开关K2一端连接VSS，另一端接入所述第二电容C2和所述电感L1之间；所述第一收发开关K1一端连接VSS，另一端接入所述第一电容C1和所述电感L1之间；所述电感L1连接低噪声放大器LNA的两个端口。

技术领域

本发明涉及射频技术，尤其涉及一种带匹配的射频收发开关电路。

背景技术

通常，在天线端口采用开关切换的方式，分时将天线端口与发射机或者接收机相连，当天线通过开关管连接至发射端(接收端)时，发射端(接收端)的开关管引入的插入损耗应当尽可能小，在CMOS工艺中，一般电路会采用较大尺寸的MOS管，而接收端(发射端)开关管两端的寄生电容要尽可能小，从而使得发射端与接收端实现很好的隔离。开关管的插入损耗与隔离需要折中考虑。随着工艺的进一步缩减与射频前端电路性能的进一步优化，传统的开关切换方式不能满足新的设计要求，因此需要改变传统的收发切换方式，通过新的结构减少插入损耗，提高发射端与接收端的隔离。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种带匹配的射频收发开关电路。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种带匹配的射频收发开关电路，所述电路包括：射频功率放大器PA的负载Balun、第一收发开关K1、第二收发开关K2、第三收发开关K3、第一电容C1、第二电容C2、电感L1；其中，

所述负载Balun的初级线圈连接用于输出大功率信号的放大电路PA，所述负载Balun的初级线圈与所述PA的连接端连接第三收发开关K3；所述第三收发开关K3另一端连接公共接地端VSS；

所述负载Balun的次级线圈的两端连接第一电容C1的一端和第二电容C2的一端；所述电感L1的两端分别连接所述第一电容C1的另一端和所述第二电容C2的另一端；

所述第二收发开关K2一端连接VSS，另一端接入所述第二电容C2和所述电感L1之间；

所述第一收发开关K1一端连接VSS，另一端接入所述第一电容C1和所述电感L1之间；

所述电感L1连接低噪声放大器LNA的两个端口。

上述方案中，所述射频收发开关电路处于发射阶段时，所述第一收发开关K1、所述第二收发开关K2闭合，所述第三收发开关K3打开，所述PA发射的信号通过输出到所述负载Balun的初级线圈将信号发射到天线；

通过第一收发开关K1、第二收发开关K2将所述负载Balun的次级线圈经过第一电容C1和第二电容C2接地，以将发射信号与低噪声放大器LNA隔开；

第一收发开关K1、第二收发开关K2分别通过第一电容C1、第二电容C2与所述负载Balun的次级线圈相连，利用所述第一电容C1、第二电容C2的能量实现导通瞬间能量的释放与吸收，以对接收电路进行保护。

上述方案中，所述射频收发开关电路处于接收阶段时，所述第一收发开关K1、所述第二收发开关K2打开，所述第三收发开关K3闭合，所述射频收发开关电路通过所述负载Balun接收所述天线接收到的信号，并通过所述第三收发开关K3将所述PA的输出端接地，以阻断发射通路对接收通路的干扰。

上述方案中，所述电感L1，用于形成LNA的片内匹配电路，以提高电路的集成度。