[发明专利]一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材及其制备方法有效
| 申请号: | 201911138362.6 | 申请日: | 2019-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN110819846B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 朱戴博;曾琴;刘洋;刘肖今;孙琳琳;杜冰洁;周爽;李思珑 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
| 主分类号: | C22C5/06 | 分类号: | C22C5/06;C22C1/03;C22F1/14 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳泉清 |
| 地址: | 411105 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光电 倍增 极用高镁 含量 镁合金 及其 制备 方法 | ||
一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材及其制备方法,它涉及一种银镁合金带材及其制备方法。本发明的目的是要解决现有制备镁含量高于5%的银镁合金的方法极易导致镁的蒸发,有较大的安全隐患的问题。一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材按照元素质量分数由Mg:5%~10%、Fe:≤0.2%、Co:≤0.2%、N:≤0.2%、其他杂质元素之和≤0.02%和余量Ag制备而成。方法:一、制备银镁中间合金预制体;二、半连续铸造制备坯料;三、热轧;四、酸洗、抛光;五、精轧。本发明可获得一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材。
技术领域
本发明涉及一种银镁合金带材及其制备方法。
背景技术
热激活后的银镁合金带材拥有良好的二次电子发射性能,极小的热电子发射性,工作稳定且加工方便,是高性能光电倍增管倍增极的理想原材料,且其二次电子发射性能,随着镁含量的增加而增加。伴随着5G商用以及航天领域探索迈向深空,对光电倍增管的可靠性、二次电子发射性能提出了新的要求,减少倍增极数量、提高单个倍增极的电子发射性能势在必行,开发制备高镁含量的银镁合金能很好满足这些领域需求,并拥有较好的市场价值。
目前,关于银镁合金制备相关资料较少,对于较低镁含量的银镁合金(低于1%),较多采用直接熔炼法,但是对于镁含量高于5%的银镁合金,由于银的熔点和镁的沸点接近,且镁的密度较低,直接熔炼极易导致镁的蒸发,有较大的安全隐患。
发明内容
本发明的目的是要解决现有制备镁含量高于5%的银镁合金的方法极易导致镁的蒸发,有较大的安全隐患的问题,而提供一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材及其制备方法。
一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材按照元素质量分数由Mg:5%~10%、Fe:≤0.2%、Co:≤0.2%、N:≤0.2%、其他杂质元素之和≤0.02%和余量Ag制备而成。
一种光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材的制备方法,是按以下步骤完成的:
一、制备银镁中间合金预制体:
将镁粉和银粉混合,得到含镁质量分数为30%~40%的银镁混合粉末;将含镁质量分数为30%~40%的银镁混合粉末置于球磨罐中,再进行球磨,球磨后进行真空干燥,得到球磨后的银镁混合粉末;将球磨后的银镁混合粉末在240MPa~260MPa下进行压坯,压坯后放入真空炉中,向真空炉中通入0.1MPa氩气,再在氩气气氛和温度为650℃~710℃下真空烧结3h~6h,得到银镁中间合金预制体;
二、半连续铸造制备坯料:
首先将银粉和银镁中间合金预制体放入真空中频熔炼炉中进行熔炼,得到熔体;然后去除熔体表面的浮渣,再静置,最后将熔体进行半连续铸造,得到宽度为20mm~30mm、厚度为10mm~15mm的银镁合金半连续坯料;
步骤二中所述的银镁合金半连续铸锭的成分按照元素质量分数由Mg:5%~10%、Fe:≤0.2%、Co:≤0.2%、N:≤0.2%、其他杂质元素之和≤0.02%和余量Ag组成;
三、热轧:
在温度为780℃~840℃下对宽度为20mm~30mm、厚度为10mm~15mm的银镁合金半连续坯料进行均匀化处理,再将银镁合金半连续坯料进行1~2个循环4~8道次的交叉周转轧,得到厚度为0.6mm~0.8mm的银镁合金带材;
四、酸洗、抛光:
使用酸洗液对厚度为0.6mm~0.8mm的银镁合金带材进行酸洗,再进行抛光,得到表面光亮的银镁合金带材;
五、精轧:
将表面光亮的银镁合金带材在6辊精轧机上进行4~6道次精轧,得到宽度为10mm、厚度为0.15mm~0.20mm的光电倍增极用高镁含量的银镁合金带材,收卷。
本发明的原理及优点:
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