[发明专利]一种基于乙酰丙酮银制备Ag2 有效
| 申请号： | 201911137327.2 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112899646B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 卢维尔;明帅强;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 乙酰 丙酮 制备 ag base sub | ||
1.一种基于乙酰丙酮银制备Ag2S 薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
将硅衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对基底、所述反应腔室、管路加热至指定温度；
将乙酰丙酮银与硫粉分别装入原子层沉积设备的固态源加热源瓶内，分别加热所述固态源加热源瓶至第一温度与第二温度，获得乙酰丙酮银蒸汽和硫粉蒸汽；所述第一温度为90～100℃，所述第二温度为110～120℃；
根据第一脉冲时间将所述乙酰丙酮银蒸汽通入所述反应腔室，用氮气以第一清洗时间清洗所述反应腔室；
根据第二脉冲时间将所述硫粉蒸汽通入所述反应腔室，用所述氮气以第二清洗时间清洗所述反应腔室；
所述乙酰丙酮银蒸汽与所述硫粉蒸汽在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得第一厚度的硫化银薄膜；循环执行200～800个所述乙酰丙酮银蒸汽与所述硫粉蒸汽在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得200～800倍第一厚度的硫化银薄膜；
所述第一脉冲时间的范围为0.5～2S；
所述第二脉冲时间的范围为1-4S；
所述乙酰丙酮银蒸汽与所述硫粉蒸汽通入所述反应腔室的载气流量为45sccm。
2.如权利要求1所述的基于乙酰丙酮银制备Ag2S 薄膜的方法，其特征在于，所述基底、所述反应腔室、所述管路的加热温度范围均为100℃～200℃。
3.如权利要求1所述的基于乙酰丙酮银制备Ag2S 薄膜的方法，其特征在于，所述第一清洗时间20～60S。
4.如权利要求1所述的基于乙酰丙酮银制备Ag2S 薄膜的方法，其特征在于，所述第二清洗时间20～60S。
5.如权利要求1所述的基于乙酰丙酮银制备Ag2S 薄膜的方法，其特征在于，所述氮气清洗所述反应腔室的流量为30sccm。
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