[发明专利]适用于北斗二代频段的低噪放射频前端电路

权利要求书

1.一种适用于北斗二代频段的低噪放射频前端电路，其特征在于，包括：第一级放大器单元、第一滤波单元、级间匹配单元以及第二级放大器单元；

所述第一级放大器单元包括：第一级放大器芯片，电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电感L1以及电感L3；

所述第一级放大器芯片采用型号为ATF54143的芯片；

所述第一级放大器单元输入端与电容C3的一端相连，所述电容C3的另一端与电感L1的一端、第一级放大器芯片第三端口相连；

所述电感L1的另一端与电容C1的一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端相连；

所述电阻R1的另一端接地；

所述电阻R2的另一端和电阻R3的一端、第一电源相连；

所述电阻R3的另外一端与电容C2的一端、电感L3的一端相连；

所述电容C2的另一端接地；

所述L3的另外一端和第一级放大器芯片的第一端口、第一级放大器单元的输出端相连；

所述第一级放大器芯片的第二端口、第一级放大器芯片的第四端口接地；

所述第一级放大器单元的输出端和第一滤波单元输入端相连；

所述第一滤波单元的输出端与级间匹配单元的输入端相连；

所述级间匹配单元的输出端与第二级放大器单元的输入端相连；

所述第二级放大器单元包括：第二级放大器芯片、电容C6、电容C11、电感L5；

所述第二级放大器单元的输入端与第二级放大器芯片第六端口相连；

所述第二级放大器单元第二端口、第二级放大器单元第四端口、第二级放大器单元第五端口接地；

所述第二级放大器芯片第一端口与第一电源、电感L5的一端、电容C6的一端相连；

所述电容C6的另一端接地；

所述电感L5的另一端和电容C11的一端、第二级放大器芯片第三端口相连；

所述电容C11的另一端和第二级放大器单元的输出端相连；

所述二级放大器芯片采用型号为ASL226的芯片。

2.根据权利要求1所述的适用于北斗二代频段的低噪放射频前端电路，其特征在于，所述第一滤波单元包括：第一滤波芯片、电容C4；

所述第一滤波芯片第一端口、第一滤波芯片第三端口、第一滤波芯片第四端口、第一滤波芯片第六端口接地；

所述第一滤波芯片第二端口和电容C4的一端相连；

所述电容C4的另一端与第一滤波单元输入端相连；

所述第一滤波芯片第五端口和第一滤波单元输出端相连。

3.根据权利要求2所述的适用于北斗二代频段的低噪放射频前端电路，其特征在于，所述第一滤波芯片采用型号TA1584A的芯片。

4.根据权利要求1所述的适用于北斗二代频段的低噪放射频前端电路，其特征在于，所述级间匹配单元包括：电阻R4、电阻R5、电阻R6、电感L2、电感L4以及电容C5；

所述级间匹配单元输入端和电阻R4的一端、电阻R5的一端相连；

所述电阻R5的另一端接地；

所述电阻R4的另一端和电阻R6的一端、电感L2的一端、电容C5的一端相连；

所述电感L2的另一端接地；

所述电容C5的另一端与电感L4的一端相连；

电感L4的另一端和级间匹配单元输出端相连。

5.根据权利要求1所述的适用于北斗二代频段的低噪放射频前端电路，其特征在于，还包括：偏置电路单元；

所述偏置电路单元包括：偏置电路芯片、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电感L6以及双向瞬态抑制二极管U5；

所述双向瞬态抑制二极管U5的一端、电感L6的一端与第二电源相连；

所述双向瞬态抑制二极管U5的另一端接地；

所述电感L6的另一端与电容C7的一端、电容C8的一端、偏置电路芯片第一端口、偏置电路芯片第三端口的一端相连；

所述偏置电路芯片第五端口与电容C9的一端、电容C10的一端、第一电源相连；

所述偏置电路芯片第二端口、电容C9的另一端、电容C10的另一端、电容C7的另一端、电容C8的另一端接地。