[发明专利]一种玉米种植方法

说明书

本发明公开了一种玉米种植方法，挑选玉米种植地，然后对挑选的玉米种植地进行深耕整地；每亩地使用氮、磷、钾肥均匀铺洒作为底肥，施肥完成后让肥料在田地内风干；在肥料风干与土壤融合后再次深耕土壤，耕地完成后进行整平工作，起垄将土壤垄成W型的宽垄面；对玉米种子进行预处理，然后种植，进行浇水、施肥，得到玉米苗；当玉米苗生长到5～7cm时，进行一次捡苗，把生长弱小、徒长的玉米苗移除，并且一周后施加肥料，以提高幼苗的生长能力，同时日常做好除草工作；玉米苗生长到40～60cm时进行一次正位，以防止玉米出现倒伏等现象，以提高玉米的产量；玉米进入成熟后在早晨和傍晚对玉米进行收割。使玉米籽粒饱满、活杆成熟，以达到增产增收的目的。

技术领域

本发明属于生物农业技术领域，具体涉及一种玉米种植方法。

背景技术

现有的玉米种植方式通过单穴的玉米苗的种植数量来提高玉米收成，实际上采取此种方式得不偿失，对提高玉米单位面积之产量的帮助而言收效甚微，且会使玉米出现生长棒小、秃尖、早衰等现象的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种玉米种植方法，能减少玉米秃尖，并且提高对化肥的利用率。

本发明采用以下技术方案：

一种玉米种植方法，包括以下步骤：

S1、挑选玉米种植地，然后对挑选的玉米种植地进行深耕整地；

S2、每亩地按质量比1：0.49：0.9使用氮、磷、钾肥均匀铺洒作为底肥，施肥完成后让肥料在田地内风干；

S3、在肥料风干与土壤融合后再次深耕土壤，耕地的深度为28～33cm，耕地完成后进行整平工作，起垄将土壤垄成W型的宽垄面；

S4、对玉米种子进行预处理，然后种植，进行浇水、施肥，得到玉米苗；

S5、当玉米苗生长到5～7cm时，进行一次捡苗，把生长弱小、徒长的玉米苗移除，并且一周后施加肥料，以提高幼苗的生长能力，同时日常做好除草工作；

S6、玉米苗生长到40～60cm时进行一次正位，以防止玉米出现倒伏等现象，以提高玉米的产量；

S7、玉米进入成熟后在早晨和傍晚对玉米进行收割。

具体的，步骤S3中，耕地的深度为28～33cm，W型宽垄面的尺寸为80*30cm。

进一步的，每条垄上种植两行玉米，且行距均为30cm、垄与垄之间的间距为80cm，并且大穴四株为20cm，远距为60cm。

具体的，步骤S4中，预处理具体为：

S401、先将玉米种子放到温水中进行浸泡，水温控制在30～40℃，浸泡1～2小时；

S402、将温水浸泡后的种子送入生长调节剂中进行浸泡，生长调节剂采用矮壮素，浸泡时200克50％的矮壮素和纯净水的比例为1：100，浸泡3～4小时，浸泡后将种子晾干。

S403、将晾干后的玉米种子送入紫外线灯下进行照射，紫外线波长控制在350～390nm，照射时间为9～13秒。

具体的，步骤S4中，玉米种子的育苗时先用40～50％的腐熟厩肥，50～60％的肥沃细土为材料，向每50kg的料土中加入0.5kg的过磷酸钙，再加上少量磷酸二铵或尿素，加水适量，混匀后手工或机械做成高6～8厘米，直径6厘米，中间留一播种孔的圆形钵，然后向在钵内播种玉米种子进行育苗，到移栽叶龄时，连苗带钵移栽至大田，并且在玉米种植地周边种植薰衣草