[发明专利]触点图案化的方法

说明书

本申请案涉及用于触点图案化的方法。本发明描述与将感测线触点上方的材料图案化相关的方法、设备及系统。实例方法包含在衬底上的半导体结构上方与感测线方向成角度地形成感测线触点图案，其中沿着第一感测线列中的感测线触点与第二感测线列中的感测线触点之间的路径形成与所述感测线方向所成的所述角度。所述实例方法进一步包含去除掩模材料的对应于所述感测线触点图案的一部分以形成感测线触点。

技术领域

本发明一般来说涉及半导体装置及方法，且更特定来说涉及将材料图案化。

背景技术

存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)及快闪存储器以及其它存储器。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如，ReRAM)且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的宽广范围的电子应用。与在失去电力的情况下保持其所存储状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)相反，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其所存储数据状态(例如，经由刷新过程)。然而，各种易失性存储器单元(例如DRAM单元)可比各种非易失性存储器单元(例如快闪存储器单元)更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种方法，其包括：在衬底上的半导体结构上方与感测线方向成角度地形成感测线触点图案，其中沿着第一感测线列中的感测线触点的作用区与第二感测线列中的感测线触点的作用区之间的路径形成与所述感测线方向所成的所述角度；及去除掩模材料的对应于所述感测线触点图案的一部分以形成感测线触点。

在另一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：在衬底上的半导体结构的感测线触点的作用区上方形成掩模材料；沿着感测线触点的作用区的路径与感测线方向成角度地将所述材料图案化；及使用第一蚀刻来去除所述材料的对应于感测线触点的作用区的图案的一部分以形成感测线触点。

在又一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：在衬底上的半导体结构的位线(BL)触点的作用区及电容器单元(CC)触点的作用区上方沉积掩模材料；沿着BL触点的作用区的路径与BL方向成角度地将所述材料图案化；及蚀刻所述材料的对应于BL触点的作用区的图案的一部分。

附图说明

图1到6图解说明根据本发明的若干个实施例在用于将感测线触点的作用区上方的材料图案化的实例制作序列中的各种时间点处实例存储器装置的一部分的俯视图。

图7到9是根据本发明的若干个实施例的用于将感测线触点的作用区上方的材料图案化的实例方法的流程图。

图10是根据本发明的若干个实施例包含至少一个存储器系统的计算系统的功能框图。

图11图解说明包含根据本发明的若干个实施例形成的到感测线的感测线触点的存储器装置的半导体结构的实例的一部分的横截面图。

具体实施方式

存储器装置(例如，包含易失性或非易失性存储器单元的那些存储器装置)上的各种类型的半导体结构可包含可形成到半导体材料中以在其上产生用于后续半导体处理步骤的开口的直线沟槽及/或圆形、正方形、椭圆形等空腔。各种材料可使用化学气相沉积(CVD)、等离子体沉积等来沉积，且使用光学光刻技术图案化，掺杂且使用气体蚀刻、湿式蚀刻及/或干式蚀刻过程来蚀刻以在衬底上形成半导体结构。此些开口可含纳贡献于数据存取、存储及/或处理或者贡献于存储器装置上的各种支撑结构的各种材料或与所述各种材料相关联。作为实例，电容器材料可沉积到这些开口中以提供数据存取、存储及/或处理。