[发明专利]解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构

权利要求书

1.一种解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，其特征在于，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台的形状和面积与芯片相适配，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，所述支撑凸点的高度为30-50μm，所述芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上，烧结银胶的厚度等于或稍大于支撑凸点的高度。

2.根据权利要求1所述的封装焊接结构，其特征在于，所述环形凹槽的深度为80-120μm，环形凹槽的宽度为100-200μm。

3.根据权利要求1所述的封装焊接结构，其特征在于，所述焊接支撑台的高度为50-75μm。

4.根据权利要求1所述的封装焊接结构，其特征在于，所述支撑凸点的直径尺寸为30-60μm。

5.根据权利要求1所述的封装焊接结构，其特征在于，所述引线框基岛上表面还设有镀银层。

6.根据权利要求1至5任一项所述的封装焊接结构，其特征在于，所述封装焊接结构还包括引脚、金线和塑封体，所述金线用于连接芯片和引脚，所述塑封体用于封装整个产品。