[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911135746.2 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110752247A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;袁志东 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/64 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储电极 存储电容 像素驱动电路 发光器件 电连接 第一电极 显示面板 亚像素 衬底 发光型 开口率 跨线 制备 透明 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底,设置于所述衬底上显示区且位于每个亚像素中的像素驱动电路与底发光型发光器件;所述发光器件包括与像素驱动电路电连接的第一电极;
所述像素驱动电路包括第一存储电容和第二存储电容;所述第一存储电容包括第一存储电极和第二存储电极,所述第二存储电容包括第二存储电极和第三存储电极;
沿所述衬底厚度方向,所述第二存储电极位于第一存储电极与第三存储电极之间;
所述第一电极还用作所述第一存储电极,所述第一存储电极与所述第三存储电极电连接;所述第二存储电极和所述第三存储电极均呈透明。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第一晶体管,所述第一晶体管包括第一栅极、第一半导体有源图案、第一源极;所述第一晶体管为驱动晶体管;
所述第一半导体有源图案包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区,所述第一源极区和所述第一漏极区的导电性大于所述第一沟道区的导电性;所述第一源极与所述第一源极区接触;
所述第三存储电极通过对半导体图案进行导体化得到,所述第三存储电极与所述第一漏极区连接且为一体结构;
所述第一源极与电源线电连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第二晶体管,所述第二晶体管包括第二栅极、第二半导体有源图案、第二源极和第二漏极;
所述第二栅极与栅线电连接;
所述第二源极与数据线电连接;
所述第二漏极与第一连接电极电连接,且二者为一体结构;所述第一连接电极与所述第一栅极和所述第二存储电极均电连接;
所述第二栅极由所述栅线充当。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极与所述第二存储电极直接接触,所述第一连接电极与所述第一栅极通过过孔电连接。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在所述像素驱动电路包括第二晶体管的情况下,所述像素驱动电路还包括第三晶体管,所述第三晶体管包括第三栅极、第三半导体有源图案和第三漏极;
所述第三半导体有源图案包括第三沟道区、第三源极区和第三漏极区,所述第三源极区和所述第三漏极区的导电性大于所述第三沟道区的导电性;
所述第三源极区与所述第三存储电极连接且为一体结构;所述第三漏极与所述第三漏极区接触,且所述第三漏极与感测信号线电连接;
所述第一晶体管和所述第三晶体管位于所述亚像素的相对两侧。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,位于任一行亚像素中所述第三晶体管的所述第三栅极,由与下一行亚像素电连接的所述栅线充当。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述电源线、所述感测信号线以及数据线平行且同层设置;
每行所述亚像素中,每相邻的两个所述亚像素为一组,每组的两个所述亚像素之间设置有两根所述数据线;每组所述亚像素的一侧设置有一根所述电源线,相对的另一侧设置有一根所述感测信号线,且所述电源线和所述感测信号线间隔设置;
针对每行所述亚像素,位于所述电源线一侧且靠近该电源线的两个所述亚像素中所述像素驱动电路、位于该电源线另一侧且靠近该电源线的两个所述亚像素中所述像素驱动电路,均与该电源线电连接;
针对每行所述亚像素,位于所述感测信号线一侧且靠近该感测信号线的两个所述亚像素中所述像素驱动电路、位于该感测信号线另一侧且靠近该感测信号线的两个所述亚像素中所述像素驱动电路,均与该感测信号线电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的