[发明专利]一种NAND FLASH垃圾回收动态优化方法有效

专利信息
申请号: 201911133701.1 申请日: 2019-11-19
公开(公告)号: CN111026673B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 贺莹;刘婷婷;刘硕;王闯 申请(专利权)人: 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 代理人: 娄华
地址: 710065 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 nand flash 垃圾 回收 动态 优化 方法
【权利要求书】:

1.一种NAND FLASH垃圾回收动态优化方法,其特征在于:综合考虑NAND FLASH物理块垃圾回收过程相关因素,相关因素包括有效数据量X、写入频度Y和磨损度Z,根据实际使用需求定义相关因素的优先级顺序,分别记为第1优先级因素、第2优先级因素、第3优先级因素,根据第1优先级因素对NAND FLASH物理块采用聚类的方法进行分类,得到初次筛选块集合A;对第1优先级聚类结果根据第2优先级因素采用聚类的方法进行分类,得到二次筛选块集合B;对第2优先级聚类结果根据第3优先级因素采用聚类的方法进行分类,得到三次回收块集合C,以此类推,最终得到最优回收块集合;

所述聚类的方法是按如下步骤进行分类:

a)按照有效数据量X对NAND FLASH物理块进行聚类,将数据块分类为有效数据量少的块集合Xl和有效数据量多的块集合Xh,选择引发编程次数少的Xl做为回收块筛选集合;

b)按照写入频度Y对NAND FLASH物理块进行聚类,将数据块分类为低频写入块Yl和高频写入块Yh,选择引发编程次数少的Yh做为回收块筛选集合;

c)按照有效数据量Z对NAND FLASH物理块进行聚类,将数据块分类为低磨损块Zl和高磨损块Zh,选择引发的磨损均衡度越高的Zl做为回收块筛选集合。

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