[发明专利]一种增大有源区有效面积的方法

权利要求书

1.一种增大有源区有效面积的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、刻蚀形成有源区；

步骤二、所述有源区刻蚀形成之后对单个晶片进行光阻去除与清洗；

步骤三、对所述有源区氮化硅进行回刻；

步骤四、所述有源区氮化硅回刻之后对所述单个晶片进行清洗；清洗步骤包括：(e)采用O3清洗30s；(f)采用SC1清洗剂清洗30s，所述SC1清洗剂中氨水、双氧水以及去离子水的配比为1:2:50；(g)采用SCN清洗剂清洗30s；(h)采用SC2清洗剂清洗15s，所述SC2清洗剂中氨水、双氧水以及去离子水的配比为1:1:50；

步骤五、STI区薄氧化层形成之前对所述单个晶片进行清洗。

2.根据权利要求1所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：该方法还包括步骤六、STI区薄氧化层生长；步骤七、在所述STI区生长第一HARP氧化层；步骤八、在所述STI区生长第二HARP氧化层。

3.根据权利要求2所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：该方法还包括步骤九、对所述STI区进行退火；步骤十、对所述STI区进行化学机械研磨；步骤十一、形成栅氧化层以及栅极多晶硅。

4.根据权利要求3所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤二中所采用的清洗步骤包括：(a)采用HF溶液清洗90s；(b)采用SPM清洗剂清洗60s，所述SPM清洗剂中硫酸和双氧水的配比为2:1；(c)采用SC1清洗剂清洗30s，所述SC1清洗剂中氨水、双氧水以及去离子水的配比为1:2:50；(d)采用SCN清洗剂清洗30s。

5.根据权利要求4所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(a)中所述HF溶液的配比为：HF与水的体积比为200:1。

6.根据权利要求5所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(a)中所述HF溶液的温度为23℃。

7.根据权利要求6所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(b)中所述SPM清洗剂的温度为80℃。

8.根据权利要求7所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(c)中所述SC1清洗剂的温度为40℃。

9.根据权利要求1所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(f)中所述SC1清洗剂的温度为40℃。

10.根据权利要求9所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(h)中所述SC2清洗剂的温度为40℃。

11.根据权利要求3所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤五中所采用的清洗步骤包括：(i)采用O3清洗30s；(j)采用HF溶液清洗6min；(k)采用SC1清洗剂清洗30s，所述SC1清洗剂中氨水、双氧水以及去离子水的配比为1:2:50；(l)采用SCN清洗剂清洗30s；(m)采用SC2清洗剂在40℃条件下清洗15s，所述SC2清洗剂中氨水、双氧水以及去离子水的配比为1:1:50。

12.根据权利要求11所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(j)中所述HF溶液的温度为23℃。

13.根据权利要求12所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(k)中所述SC1清洗剂的温度为40℃。

14.根据权利要求13所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤(m)中所述SC2清洗剂的温度为40℃。

15.根据权利要求3所述的增大有源区有效面积的方法，其特征在于：步骤二、步骤四以及步骤五进行清洗后，对所述单个晶片进行干燥。