[发明专利]一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器有效
| 申请号： | 201911132175.7 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110828664B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;任堃 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 制备 方法 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变材料，其特征在于，所述相变材料是由碳（C）、铋（Bi）、锑（Sb）和碲（Te）四种元素组成，所述相变材料能够用于相变存储器；
所述相变材料的通式为CxBi0.5Sb1.5Te3，其中0.01X5。
2.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于，所述相变材料在电信号的操作下能够实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。
3.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于，所述相变材料通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀或溶胶凝胶方法制备形成。
4.一种相变材料的制备方法，其特征在于，所述相变材料由Bi0.5Sb1.5Te3进行C掺杂制备形成，所述相变材料能够用于相变存储器；
所述相变材料的通式为CxBi0.5Sb1.5Te3，其中0.01X5。
5.根据权利要求4所述的相变材料的制备方法，其特征在于，所述相变材料通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀或溶胶凝胶方法制备形成。
6.根据权利要求4所述的相变材料的制备方法，其特征在于，所述相变材料采用Bi0.5Sb1.5Te3合金靶和单质C靶共溅射形成。
7.一种相变存储器，其特征在于，包括权利要求1-3任意一项所述相变材料。
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