[发明专利]一种光电转换模块及光能转换为电能的转换方法在审
申请号: | 201911131229.8 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110854228A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 王兆来 | 申请(专利权)人: | 无锡森诺光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/055 |
代理公司: | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人: | 刘跃 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 转换 模块 光能 电能 方法 | ||
1.一种光电转换模块,包括铝合金保护层(1),其特征在于:所述铝合金保护层(1)的内壁连接有钢化玻璃(2),所述钢化玻璃(2)的顶端固定有上密封件(3),所述钢化玻璃(2)的底端固定有增透膜(4),所述增透膜(4)的底端固定有电池片组件(5),所述电池片组件(5)的底端连接有连接块(6),所述连接块(6)的底端连接有下密封件(7),所述下密封件(7)的底端固定有背板(8),所述电池片组件(5)包括有下电池片(9)、上电池片(10),所述上电池片(10)位于下电池片(9)的正上方,所述背板(8)包括有衍射光栅(11)、连接层(12)、绝缘层(13)与防腐层(14),所述衍射光栅(11)位于连接层(12)的正上方,所述连接层(12)位于绝缘层(13)的正上方,所述绝缘层(13)位于防腐层(14)的正上方。
2.根据权利要求1所述的一种光电转换模块,其特征在于:所述钢化玻璃(2)的透光率为百分之九十五,且钢化玻璃(2)经过超白钢化处理,所述铝合金保护层(1)与钢化玻璃(2)相接触的位置处设置有密封硅胶。
3.根据权利要求1所述的一种光电转换模块,其特征在于:所述上密封件(3)与下密封件(7)均为橡胶材质构成,且上密封件(3)与下密封件(7)的横截面均为等腰三角形,所述上密封件(3)与钢化玻璃(2)通过粘性胶水固定连接,所述下密封件(7)与背板(8)通过粘性胶水固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种光电转换模块,其特征在于:所述下电池片(9)与上电池片(10)通过EVA胶水固定连接,且下电池片(9)的底端与上电池片(10)的顶端均设置有多组指状电极、连接焊带与总线焊带,所述指状电极与连接焊带电性连接,所述连接焊带与总线焊带通过焊接固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种光电转换模块,其特征在于:所述衍射光栅(11)的基底由玻璃制成,且基底的顶端渡有铝质薄膜,所述铝质薄膜的表面刻有多组平行线,所述衍射光栅(11)与连接块(6)通过粘性胶水固定连接,且连接块(6)为铝质组成。
6.根据权利要求1所述的一种光电转换模块,其特征在于:所述连接层(12)靠近衍射光栅(11)的一侧分布有多个向下凹陷的半圆环结构,且连接层(12)与衍射光栅(11)通过EVA胶水连接,所述防腐层(14)的底端通过粘性胶水固定有聚丙烯薄膜。
7.一种光能转换为电能的转换方法,其特征在于:包括下列步骤:
步骤一:光能穿过钢化玻璃(2)并进入装置内部,并与增透膜(4)接触;
步骤二:光能与增透膜(4)接触后,光能中与增透膜(4)厚度相等的光线从增透膜(4)的两侧反射,并相互抵消;
步骤三:剩余的光线全部穿过增透膜(4)与下电池片(9)接触,自由电子在下电池片(9)上的P-N结两侧聚集形成电位差;
步骤四:在电位差形成的电压作用下,电流流过外部电路产生输出功率从,使部分光能转为电能;
步骤五:穿过下电池片(9)的光能,继续穿过上电池片(10)并与衍射光栅(11)接触,剩余光能在衍射光栅(11)的作用下被反射;
步骤六:光能与衍射光栅(11)接触后,自由电子在衍射光栅(11)上的P-N结两侧聚集形成电位差;
步骤七:在电位差形成的电压作用下,电流流过外部电路产生输出功率从,使部分光能转为电能;
步骤八:电能输出。
8.根据权利要求7所述的一种光能转换为电能的转换方法,其特征在于:所述步骤一种光能穿过钢化玻璃(2)后有部分光能被折射,且钢化玻璃(2)上设置有静电导线,所述钢化玻璃(2)上的静电导线与地面相接触。
9.根据权利要求7所述的一种光能转换为电能的转换方法,其特征在于:所述步骤二中的被发射光在增透膜(4)中的波长为原波长的四分之一。
10.根据权利要求7所述的一种光能转换为电能的转换方法,其特征在于:所述步骤四与步骤七中的电能经过接线盒输送至蓄电池中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的