[发明专利]一种CeO2有效

专利信息
申请号: 201911130863.X 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN110828186B 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: 魏立国;吴钦航;白云起;董永利;宋微娜;孔小红;王劲草;白青子 申请(专利权)人: 黑龙江科技大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150022 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 ceo base sub
【权利要求书】:

1.一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于该制备方法按以下步骤完成:

一、将氧化石墨烯超声分散在溶剂中,得到氧化石墨烯溶液A,所述氧化石墨烯的质量与溶剂的体积的比为(0.2~2)mg:1mL;将硝酸铈和硝酸铈铵加入到氧化石墨烯溶液A中,超声分散,并在180℃下反应24h,得到CeO2修饰氮掺杂石墨烯对电极材料B,所述硝酸铈和硝酸铈铵的总质量与氧化石墨烯溶液A中氧化石墨烯的质量比为1:1,硝酸铈与硝酸铈铵的质量比为1:1;

二、将CeO2修饰氮掺杂石墨烯对电极材料B分散在非水溶剂中,超声30min~120min,搅拌蒸发至粘稠状,得到CeO2修饰氮掺杂石墨烯复合浆料C,所述CeO2修饰氮掺杂石墨烯对电极材料B的质量与非水溶剂的体积的比为(0.1mg~3mg):1mL;

三、采用成膜技术将CeO2修饰氮掺杂石墨烯复合浆料C印制于FTO导电玻璃上,得到CeO2修饰氮掺杂石墨烯复合对电极膜D;将CeO2修饰氮掺杂石墨烯复合对电极膜D在70℃下烘干10min,然后在氩气保护、450℃下焙烧15min,再冷却至室温,得到CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极。

2.根据权利要求1所述的一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于步骤一中所述的氧化石墨烯的质量与溶剂的体积的比为1mg:1mL。

3.根据权利要求1所述的一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于步骤一中所述的溶剂为水、乙醇或水和乙醇的组合物,所述水和乙醇的组合物中水与乙醇的体积比为(0.2~10):1。

4.根据权利要求1所述的一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于步骤二中所述的将CeO2修饰氮掺杂石墨烯对电极材料B超声分散在非水溶剂中,超声90min。

5.根据权利要求1所述的一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于步骤二中所述的非水溶剂为乙醇、乙二醇和5%全氟磺酸中的一种或两种以上的混合液。

6.根据权利要求5所述的一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于所述的非水溶剂为乙醇和5%全氟磺酸的混合液,乙醇与5%全氟磺酸的体积比为1:1。

7.根据权利要求1所述的一种CeO2修饰氮掺杂石墨烯DSSC对电极的制备方法,其特征在于步骤三中所述的成膜技术为丝网印刷法、滴涂法、旋涂法或刮刀法。

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