[发明专利]一种滤波器芯片封装结构及其晶圆级封装方法在审
| 申请号: | 201911130238.5 | 申请日: | 2019-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN110943710A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
| 发明(设计)人: | 王之奇;胡津津 | 申请(专利权)人: | 王之奇;胡津津 |
| 主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H01L41/053;H01L41/23 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 滤波器 芯片 封装 结构 及其 晶圆级 方法 | ||
1.一种滤波器芯片封装结构,包括:
滤波器芯片,其正面具有功能区以及设置于功能区周围的多个焊垫;
其特征在于,所述滤波器芯片封装结构还包括:
保护膜,覆盖所述滤波器芯片的正面;
支撑围墙,设置于所述保护膜与所述滤波器芯片的正面之间,所述支撑围墙、保护膜以及滤波器芯片之间包围形成密封腔,所述功能区位于所述密封腔内;
所述支撑围墙覆盖所述焊垫并包围所述功能区;
所述保护膜对应焊垫的位置具有通孔,所述通孔至少穿透所述保护膜以及所述支撑围墙,所述通孔暴露所述焊垫;
金属连接结构,形成于所述通孔中,所述金属连接结构与所述焊垫电性连接。
2.如权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述支撑围墙的材质为感光胶或者固化胶。
3.如权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述保护膜为有机高分子膜。
4.如权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述金属连接结构填平所述通孔或者填充所述通孔并凸出于所述滤波器芯片的正面。
5.如权利要求1所述的滤波器芯片封装结构,其特征在于,所述金属连接结构的材质包含金、铝、铜、银、锡的其中一种或者几种。
6.一种滤波器芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,至少包含如下步骤:
提供晶圆,所述晶圆由多个阵列排布的滤波器芯片组成,每一个滤波器芯片正面具有功能区以及设置于功能区周围的多个焊垫;
提供载体基板;
在所述载体基板上形成保护膜;
在保护膜上形成图案化的支撑围墙;
将所述晶圆与所述保护膜对位压合,使得所述图案化的支撑围墙、保护膜以及晶圆之间包围形成多个密封腔,每一密封腔对应一个滤波器芯片,所述功能区位于所述密封腔内;
通过剥离工艺将所述载体基板与所述保护膜分离;
在所述保护膜对应焊垫的位置形成通孔,所述通孔至少穿透所述保护膜以及所述支撑围墙,所述通孔暴露所述焊垫;
于所述通孔中形成金属连接结构,所述金属连接结构与所述焊垫电性连接。
7.根据权利要求6所述的滤波器芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,在所述载体基板上形成保护膜步骤包括提供固态的保护膜,在所述保护膜或者所述载体基板上形成临时键合胶层,然后将所述保护膜通过所述临时键合胶层贴合到所述载体基板上。
8.根据权利要求6所述的滤波器芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,在所述载体基板上形成保护膜步骤包括在所述载体基板上形成临时键合胶层,通过涂布工艺在所述临时键合胶层上形成保护膜,然后对所述保护膜进行固化形成固态的保护膜。
9.根据权利要求7或者8所述的滤波器芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,所述载体基板为透光基板,将所述载体基板与所述保护膜分离的步骤包括根据临时键合胶层的材质通过照射UV光或激光使得临时键合胶层失去粘性。
10.根据权利要求6所述的滤波器芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,通过激光打孔工艺形成所述通孔。
11.根据权利要求6所述的滤波器芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,通过植球工艺形成所述金属连接结构或者通过打金线工艺形成所述金属连接结构。
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