[发明专利]微流体致动器的制造方法

权利要求书

1.一种微流体致动器的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：

1)提供通过互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程出的一流道主体，由一基板上氧化生成一绝缘层，再通过互补式金属氧化物半导体的沉积制程制出一氧化层内堆叠多层金属层定义出一流道蚀刻区域，以及在最外部沉积制程制出一保护层所构成；

2)沉积、光刻及蚀刻制出一致动单元，通过沉积制程制出一下电极层堆叠一压电致动层堆叠一上电极层，再通过光刻及蚀刻制程制出该下电极层、该压电致动层及该上电极层所需求尺寸的该致动单元；

3)蚀刻制出至少一个流道，通过蚀刻制程定义制出该基板底部的该至少一个流道；

4)光刻、蚀刻制程实施制出一振动层及一中心通孔，通过光刻、蚀刻制程将该流道主体的该流道蚀刻区域定义出该振动层及该中心通孔；

5)提供一孔板层蚀刻至少一个流道出口以及滚压成型一干膜材料定义出一腔室；以及

6)覆盖对位及热压接合该孔板层，通过一覆盖对位制程以及一热压制程将孔板层接合于该流道主体上形成该腔室密封，以构成该微流体致动器整体结构。

2.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该基板为一硅基材。

3.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该绝缘层为一二氧化硅材料。

4.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该保护层为一二氧化硅材料。

5.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该保护层为一氮化硅材料。

6.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，步骤2的制造方法为该致动单元通过一第一金属材料沉积于该流道主体上形成该下电极层，再通过一压电材料沉积于该下电极层上形成该压电致动层，再通过一第二金属材料沉积于该压电致动层上形成该上电极层，复以根据该上电极层、该压电致动层以及该下电极层的顺序进行各层的光刻制程定义图形，接着搭配蚀刻制程制作出该上电极层、该压电致动层以及该下电极层定义出所需求尺寸的该致动单元。

7.如权利要求6所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该第一金属材料为一铂金属材料。

8.如权利要求6所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该第一金属材料为一钛金属材料。

9.如权利要求6所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该第二金属材料为一金金属材料。

10.如权利要求6所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该第二金属材料为一铝金属材料。

11.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，步骤4的制造方法为通过光刻制程先定义出该流道主体上一保护层蚀刻区域，再以蚀刻制程蚀刻该保护层而去除该保护层蚀刻区域，直至该流道主体的该流道蚀刻区域露出为止，复再采用蚀刻制程将该流道主体的该流道蚀刻区域予以蚀刻去除而定义制出该振动层及该中心通孔，且该流道蚀刻区域被去除的部分形成一连通流道，供与该基板底部至少一个该流道连通。

12.如权利要求11所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该振动层是由一金属层外部包围一层氧化层所构成。

13.如权利要求11所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该振动层是一氧化层所构成。

14.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该孔板层为一不锈钢材料。

15.如权利要求1所述的微流体致动器的制造方法，其特征在于，该孔板层为一玻璃材料。