[发明专利]一种金属靶材焊接后整形方法及焊接方法在审
| 申请号: | 201911127293.9 | 申请日: | 2019-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN110814096A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;廖培君 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号: | B21D3/10 | 分类号: | B21D3/10;B21D37/16 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
| 地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属 焊接 整形 方法 | ||
1.一种金属靶材焊接后整形方法,其特征在于,所述方法包括:
(1)在靶材组件的靶材上方由下往上依次设置缓冲垫和垫块,所述缓冲垫的硬度为30~60HA,抗张强度为50~100kg/cm2;
(2)利用整形机对所述靶材组件进行加压整形;
所述缓冲垫的厚度为8~15mm;
所述垫块的厚度为25~40mm;
所述垫块选自硬度为HV30~80的软质金属;
步骤(1)所述缓冲垫为硅胶垫;
步骤(1)还包括在所述靶材组件的背板下方设置垫圈;所述垫圈的厚度为15~30mm;
在步骤(1)之前还包括将靶材组件加热的步骤;所述背板熔点大于等于靶材熔点时,靶材组件加热的温度为靶材熔点的0.2~0.4倍;或者,所述靶材熔点大于背板熔点时,靶材组件加热的温度为背板熔点的0.2~0.4倍;
所述加压整形为加压至靶材中间凹陷0.3~0.6mm为止。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述靶材组件为焊接后靶材与背板组合的靶材组件。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述靶材的材质为金属。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,靶材的所述金属为W或Ta中的任意一种,或者W、Si或Ta中至少两种的组合。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,靶材的所述金属为W和Si。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,靶材的所述金属为WSi、TiAl、TaSi或CrSi中的任意一种或至少两种的组合。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,靶材的所述金属为WSi或TaSi。
8.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述背板的材质为铝合金或铜合金。
9.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述焊接为钎焊或扩散焊。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述焊接为扩散焊。
11.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述缓冲垫的直径大于靶材的直径。
12.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述缓冲垫的厚度为10~12mm。
13.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述缓冲垫以靶材组件为基准居中设置。
14.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述缓冲垫的硬度为40~50HA。
15.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述缓冲垫的抗张强度为65~85kg/cm2。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述缓冲垫为软质硅胶垫。
17.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述垫块的直径为靶材直径的0.4~0.6倍。
18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,所述垫块的直径为靶材直径的0.45~0.55倍。
19.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述垫块的厚度为30~35mm。
20.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述垫块选自硬度为HV40~60的软质金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料股份有限公司,未经宁波江丰电子材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911127293.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





