[发明专利]一种二维超高频谐振器

权利要求书

1.一种二维超高频谐振器，其特征在于，包括：压电层，上电极，电桥；上电极间距需大于四个波长；

所述上电极的形状为圆形、矩形、菱形、六边形、八边形多边形形状；

所述电桥的桥状结构与所述压电层可采用直接接触模式或者非直接接触模式，所述电桥的形状为四边形多边形形状；所述的电桥的桥状结构，其电桥材料为铂、钼、铜、铝等金属；

所述压电层的材料为铌酸锂，钽酸锂等压电材料；

所述上电极的材料为铂、钼、铜、铝等金属；

所述二维超高频谐振器的二维电极布置使得在压电层厚度方向与横向方向得到电场产生耦合效应，多方向电场的耦合使得谐振器的机电耦合系数增加；

所述多方向电场的耦合使得谐振器的机电耦合系数增加,具体为：

谐振器的机电耦合系数为：

其中，f_s为串联谐振频率，f_p为并联谐振频率f_p，串联谐振频率与并联谐振频率之间的频率间隔为Δf；

所述二维超高频谐振器无底电极；

所述压电层上表面的上电极被交替施加上正负电压后，所述压电层内部会产生多方向的电场耦合，所述的上电极的排布方式使得所述压电层内部的电场e₁₅与e₂₄产生耦合，由经典压电方程：

其中，T为应力，D为电位移，c为电场强度E恒定时的弹性劲度常数，ε为应变S恒定时的介电常数，e为压电应力常数；

e₁₅与e₂₄的耦合使得该结构的电场激增，提升谐振器的机电耦合系数。