[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201911123997.9 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110676303A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/24;H01L21/02;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872;H01L33/44;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶性半导体膜 板状体 半导体装置 氧化物半导体 半导体结构 半导体特性 半导体膜 放热性 漏电流 耐压性 氧化物 刚玉 膜厚 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，其至少具有半导体层和电极，所述半导体层由含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分的结晶性半导体膜构成，所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，并且所述半导体层具有由沟槽构成的沟结构。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述沟结构由多个沟槽构成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述电极形成于所述沟槽内。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述电极介由绝缘膜形成于所述沟槽内。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述结晶性半导体膜为包含n-型半导体层和n+型半导体层的多层膜。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为立式设备。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为二极管。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为晶体管。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为功率设备。
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