[发明专利]一种Ga2

权利要求书

1.一种Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以(0001)面Al₂O₃为衬底，以三甲基镓为镓源，等离子增强化学气相沉积法在(0001)面Al₂O₃衬底上生长一层β-Ga₂O₃膜层，在β-Ga₂O₃膜层上方磁控溅射形成Au/Ti叉指电极；所述等离子增强化学气相沉积法在(0001)面Al₂O₃衬底上生长一层β-Ga₂O₃膜 层包括：将(0001)面Al₂O₃衬底放入管式炉加热区，抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，随后加热(0001)面Al₂O₃衬底，当温度升至设置温度后，先后通入氧气和三甲基镓气体，调节气体流量；打开射频电源，设置射频功率；在衬底上沉积氧化镓薄膜；所述设置温度为500-600℃；所述的氧气流量为10～100sccm，氩气流量为10～100sccm，三甲基镓气体流量为5～50sccm；所述抽真空后腔体压强为1Pa；通入氧气和三甲基镓气体后腔体压强为3×10¹Pa；所述射频的功率在200-500W。

2.根据权利要求1所述的Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射形成Au/Ti叉指电极为先溅射Ti层，再溅射Au层，形成Au/Ti叉指电极，所述Ti层厚度为30nm，Au层厚度为70nm。

3.一种Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器，其特征在于，由权利要求1-2任一项的Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器的制备方法制备而得，所述Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器包括(0001)面Al₂O₃衬底，位于(0001)面Al₂O₃衬底上的β-Ga₂O₃膜层，位于β-Ga₂O₃膜层上的Au/Ti叉指电极，所述氧化镓薄 膜以三甲基镓为镓源采用等离子增强化学气相沉积法制备而得。

4.根据权利要求3所述的Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器，其特征在于，氧化镓薄 膜以三甲基镓为镓源等离子增强化学气相沉积法在500-600℃生长而成；所述Au/Ti叉指电极包括Ti层和Au层，所述Ti层厚度为30nm，Au层厚度为70nm。

5.根据权利要求3所述的Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器，其特征在于，所述β-Ga₂O₃膜层的带隙为4.9eV。

6.一种权利要求3-5任一项所述的Ga₂O₃薄膜基日盲紫外探测器的应用，其特征在于，用于高压设备的电晕检测。