[发明专利]图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质

说明书

本申请实施例公开了一种图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质，其中，所述图像传感器包括至少两个像素单元，构成用于感光的阵列；每一所述像素单元包括：N个感光区，N为大于等于2的自然数；每一所述感光区内设有以相同的特定方向排布的不同尺寸的光电二极管，且所述光电二极管用于吸收在所述相同的特定方向偏振的光信号；且每一所述像素单元中不同的所述感光区中的光电二极管的排布方向之间具有夹角。

技术领域

本申请实施例涉及图像传感器领域，涉及但不限于一种图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质。

背景技术

图像传感器是构成摄像头的重要部件之一，被广泛应用于数码成像、航空航天以及医疗影像等领域。图像传感器根据元件的不同，可分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。

传统的偏振式CIS(CMOS Image Sensor，互补金属氧化物半导体图像传感器)的实现方式是在PD(Photo Diode，光电二极管)结构上面放置多个不同角度的偏振片，且将多个像素作为一个计算单元，通过不同方向偏振器之间的关联能够计算偏振的程度和方向。但是，现有的上述偏振式CIS需要增加偏振片，且需要微透镜阵列去聚光，工艺复杂，加工过程繁琐。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种图像传感器及电子设备、图像处理方法和存储介质。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：

至少两个像素单元，构成用于感光的阵列；

每一所述像素单元包括：N个感光区，N为大于等于2的自然数；

每一所述感光区内设有以相同的特定方向排布的不同尺寸的光电二极管，且所述光电二极管用于吸收在所述相同的特定方向偏振的光信号；且每一所述像素单元中不同的所述感光区中的光电二极管的排布方向之间具有夹角。

本申请实施例中，所述图像传感器还包括：

图像处理单元，用于利用所有所述感光区吸收的特定方向偏振的光信号确定对应的像素单元的偏振信息，根据所述像素单元的偏振信息确定所述像素单元对应的偏振图像；

其中，所述偏振信息包括偏振的大小和方向。

本申请实施例中，所述像素单元中每一所述光电二极管为亚波长的光电二极管；

其中，所述亚波长的光电二极管的形状至少包括：椭圆形和长方形。

本申请实施例中，所述相同的特定方向至少包括：0度方向、或45度方向、或90度方向，或135度方向。

本申请实施例中，每一感光区内包括以相同的特定方向排布的三种尺寸的光电二极管，每一尺寸的光电二极管分别用来吸收对应的RGB三色光中的一种，且对应吸收RGB三色光的光电二极管数量的比例为：1:2:1。

本申请实施例中，所述像素单元还包括：

转移晶体管，用于将所述光电二极管产生的电荷从所述感光区转移到读出区；

所述读出区，用于存储电荷。

本申请实施例中，所述像素单元还包括：

复位晶体管，与所述读出区连接，用于将所述读出区复位到高电平；

源极跟随器，与所述读出区连接，用于当所述读出区为高电平时，将所述读出区中的电荷转换为电压并放大；