[发明专利]一种低压差线性稳压电路在审
申请号: | 201911120370.8 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110879629A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 沈炎俊;吴汉明 | 申请(专利权)人: | 芯创智(北京)微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;任晓航 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压 电路 | ||
本发明提供的低压差线性稳压电路,包括:晶体管Mp8源极连接电源,漏极连接R3第一端;R3第二端和R4第一端都和反馈信号Vfb连接,R4第二端接地;C2第一端连接输出Vout节点,第二端Vnfb1节点连接R2第一端,晶体管Mn8的栅极以及C1第一端;R2第二端Vnd1节点连接Mn8漏级,Mn7栅极以及Mn6源级;C1第二端Vnd2节点连接Mn7漏极以及Mn5源级;Mn7和Mn8的源级都连接到地;Mn5栅极、Mn6栅极以及Mn6漏级都连接到Vnmir3节点,该节点连接到由电流源偏置的输出管Mp7的漏级;Mn5的漏级Vo1节点连接到晶体管Mp8栅极,第一级误差放大器的输出节点;Mp7源极连接电源,栅极连接电流偏置部分输出端Vpmir1结点。本发明能保证在不同电流负载下无电容LDO的稳定性,及在负载电流变化较大时保证较小的瞬态响应尖峰。
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种低压差线性稳压电路。
背景技术
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)作为电源管理模块中重要的一个组成部分,被越来越广泛地应用到便携式手持设备中,并向着片上系统集成的方向迈进。由于便于集成、应用简单的特点,无电容型LDO成为很多应用的首要选择。
与传统的LDO相比,无电容型LDO片上不需要很大的电容,因此节省了芯片的面积,但是其在稳定性和瞬态特性上存在着较大缺陷。参阅图1,图1为传统的无电容性LDO的常用结构。它通常由误差放大器A1、功率管Mp1、反馈网络R1和R2以及一些补偿网络组成。稳定性和瞬态特性是其设计中的最大挑战。不同负载情况下的稳定性和瞬态响应的全集成无电容型的LDO的设计与实现,具有较高的实际工程应用价值。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷,本发明的目的是提供一种低压差线性稳压电路在不同电流负载情况下,可以实现无电容LDO的稳定性以及当负载电流变化较大时,可以实现较小的瞬态响应尖峰。
为达到以上目的,本发明采用的技术方案是:一种低压差线性稳压电路,包括:电流偏置部分、误差放大器、补偿网络、功率管和反馈网络;所述补偿网络由晶体管Mn5、Mn6、Mn7、Mn8、Mp7,电容C1和C2,电阻R2组成;所述功率管为晶体管Mp8;所述反馈网络由R3和R4组成;
晶体管Mp8源极连接电源,漏极连接R3第一端;R3第二端和R4第一端都和反馈信号Vfb连接,R4第二端接地;C2第一端连接输出Vout节点,第二端Vnfb1节点连接R2第一端,晶体管Mn8的栅极以及C1第一端;R2第二端Vnd1节点连接Mn8漏级,Mn7栅极以及Mn6源级;C1第二端Vnd2节点连接Mn7漏极以及Mn5源级;Mn7和Mn8的源级都连接到地;Mn5栅极、Mn6栅极以及Mn6漏级都连接到Vnmir3节点,该节点连接到由电流源偏置的输出管Mp7的漏级;Mn5的漏级Vo1节点连接到晶体管Mp8栅极,以及第一级误差放大器的输出节点;Mp7源极连接电源,栅极连接电流偏置部分输出端Vpmir1结点。
进一步的,所述。所述误差放大器由晶体管Mp1、MP2、MP3、MP4、MP6、Mn1、Mn2、Mn3和Mn4组成;
Mn4漏极为第一级误差放大器的输出Vo1节点连接Mp4漏极;Mp4源极连接电源;Mp4栅极、Mp3栅极和漏极都连接到Vpmir2节点,Vpmir2节点连接到Mn3漏极;Mp3源极接电源;Mn4栅极、Mn2栅极和漏极都连接到Vnmir2节点,Vnmir2节点连接到Mp2漏极;Mp2栅极连接反馈信号Vfb;Mn3栅极、Mn1的栅极和漏极都连接到Vnmir1节点,Vnmir1节点连接Mp1漏极;Mp1栅极连接输入参考电压Vref;Mp1源极、Mp2源极都与Mp6漏极连接,Mp6源极连接电源,Mp6栅极连接电流偏置部分输出端Vpmir1结点;Mn1源极、Mn2源极、Mn3源极和Mn4源极都接地。
进一步的,所述所述电流偏置部分由晶体管Mp5和电阻R1组成;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯创智(北京)微电子有限公司,未经芯创智(北京)微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911120370.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。