[发明专利]阵列基板及液晶显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，本发明中部分数据线与栅极同层设置，另一部分数据线与源/漏极层同层设置，数据线在栅极层和源/漏极层之间采用交替走线方式，通过过孔电性连接，增大了数据线与公共电极层之间绝缘层的厚度，以及不同层设置的数据线形成感应电容，降低数据线与公共电极层之间寄生电容，提高了液晶显示面板中在某些特殊画面正常显示的能力，本发明还将数据线与公共电极之间的绝缘层设置无机薄膜，无需额外的光罩制程，降低液晶显示面板的制备成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示面板。

背景技术

液晶显示器依其驱动方式可分为主动矩阵式、被动矩阵式液晶显示器。主动矩阵式液晶显示器以薄膜晶体管来作为驱动开关。而薄膜晶体管依其有源层的材质分为非晶硅薄膜晶体管以及低温多晶硅薄膜晶体管。

相较于非晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管具有许多优点，例如为高开口率、高解析度与高显示画质以及可将驱动电路整合于玻璃基板上等。相较于制作非晶硅薄膜晶体管的五道光罩制程，由于低温多晶硅薄膜晶体管的制程技术复杂度高且所需的光罩制程步骤较多，可能需要八道或九道光罩，故将耗费大量的制造成本。为了降低光罩的数量，省掉平坦层，但是省平坦层会带来一系列显示效果的风险，在没有平坦层时，用于给像素传输数据信号的走线与公共电极层之间的距离较近，导致数据信号与公共电极层之间寄生电容增大，这将导致液晶显示面板在某些特殊画面存在显示异常的风险。

综上所述，需要提出一种阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示面板，以解决现有技术的TFT器件中省掉平坦层，用于给像素传输数据信号的走线与公共信号之间的寄生电容较大，影响液晶显示面板中在某些特殊画面正常显示的技术问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示面板，能够解决现有技术的TFT器件中省掉平坦层，用于给像素传输数据信号的走线与公共信号之间的寄生电容较大，影响液晶显示面板中在某些特殊画面正常显示的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板上形成有子像素，所述子像素包括基板、设于所述基板上的遮光层、设于所述基板上且覆盖所述遮光层的缓冲层、设于所述缓冲层上且对应于所述遮光层上方的多晶硅层、设于所述多晶硅层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第一金属层、设于所述第一绝缘层上且覆盖所述第一金属层的第二绝缘层、设于所述第二绝缘层上的第二金属层、设于所述第二绝缘层上且覆盖所述第二金属层的第三绝缘层、设于所述第三绝缘层上的公共电极、设于所述公共电极上的钝化层、以及设于所述钝化层上的像素电极。

其中，所述第一金属层包括栅极、扫描线、以及第一数据线，所述第二金属层包括源极、漏极、以及第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线通过过孔电性连接。

根据本发明一优选实施例，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层均为无机薄膜，所述无机薄膜的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或一种以上的组合材料。

根据本发明一优选实施例，所述过孔位于所述第二绝缘层中，所述过孔一端与所述源极或所述漏极导通，另一端与所述第一金属层导通。

根据本发明一优选实施例，所述第二数据线与所述漏极电性相连，所述第二数据与所述源极绝缘设置；或者，所述第二数据线与所述源极电性相连，所述第二数据与所述漏极绝缘设置。

根据本发明一优选实施例，所述多晶硅层包括半导体层、以及位于所述半导体层表面掺杂层。

根据本发明一优选实施例，所述第二绝缘层表面还设置有触控信号线，所述触控信号线与所述公共电极电性连接。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属层和所述第二金属层的材料均为铝、钼、铜、铬、钨、钽以及钛中的一种或多种的组合材料。