[发明专利]一种MOS管电源电路、控制方法、电子设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 201911118923.6 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN110932542A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 栾文迪 申请(专利权)人: 锐捷网络股份有限公司
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38;H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 福建省福州市仓*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 电源 电路 控制 方法 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种MOS管电源电路,其特征在于,包括:上MOS管,下MOS管,脉冲宽度调制PWM驱动控制器、第一与门、第二与门、第一非门和第二非门、第一保护电路和第二保护电路;

所述第一与门的第一输入端与所述PWM驱动控制器的高驱动端UGATE连接,所述第一与门的第二输入端连接所述第一非门的输出端,所述第一与门的输出端连接所述上MOS管的栅极和所述第二非门的输入端;

所述第二与门的第一输入端与所述PWM驱动控制器的低驱动端LGATE连接,所述第二与门的第二输入端连接所述第二非门的输出端,所述第二与门的输出端连接所述下MOS管的栅极和所述第一非门的输入端;

所述第一保护电路与所述第一非门的输入端连接,所述第二保护电路与所述第二非门的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一保护电路包括:第一下拉电阻,所述第一下拉电阻的一端连接所述第一非门的输入端,所述第一下拉电阻的另一端接地;

所述第二保护电路包括:第二下拉电阻,所述第二下拉电阻的一端连接所述第二非门的输出端,所述第二下拉电阻的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第一下拉电阻和所述第二下拉电阻的阻值均为10K欧姆。

4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:升压电路;

所述升压电路连接所述第一与门的输出端与所述上MOS管的栅极。

5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:第一电容和第二电容;

所述第一电容的一端连接所述第一非门的输入端,所述第一电容的另一端接地;

所述第二电容的一端连接所述第二非门的输入端,所述第二电容的另一端接地。

6.根据权利要求1-5任一所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:第三非门和第四非门;

所述第三非门的输入端连接所述PWM驱动控制器的高驱动端UGATE,所述第三非门的输出端连接所述第一与门的第一输入端;

所述第四非门的输入端连接所述PWM驱动控制器的低驱动端LGATE,所述第四非门的输出端连接所述第二与门的第一输入端。

7.一种MOS管电源电路控制方法,其特征在于,应用于如权利要求1-6任一所述的MOS管电源电路中,包括:

所述PWM驱动控制器控制所述高驱动端UGATE输出高电平,并控制所述低驱动端LGATE输出低电平,以便所述上MOS管开启,所述下MOS管关闭。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:

所述PWM驱动控制器控制所述高驱动端UGATE输出低电平,并控制所述低驱动端LGATE输出高电平,以便所述上MOS管关闭,所述下MOS管开启。

9.一种电子设备,其特征在于,包括:如权利要求1-6任一所述的MOS管电源电路。

10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现:如权利要求7或8所述的方法。

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