[发明专利]形成可灰化硬遮罩的方法及图案化方法在审
| 申请号： | 201911118800.2 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112701032A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 方伟权 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 灰化 硬遮罩 方法 图案 | ||
1.一种形成可灰化硬遮罩的方法，其特征在于，包含：
(i)提供标的层；
(ii)在所述标的层上沉积初始硬遮罩层；以及
(iii)在400至700℃的植入温度下，将多个碳原子植入所述初始硬遮罩层以形成可灰化硬遮罩，其中所述可灰化硬遮罩中的植入剂量浓度为1014至1016ion/cm2。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(ii)之前，还包含刷洗所述标的层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(ii)之后及步骤(iii)之前，还包含在所述初始硬遮罩层上执行斜边蚀刻。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行步骤(iii)的植入剂量能量为10至50keV。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述植入温度为500至600℃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(ii)包括暴露所述标的层于前驱物气体，所述前驱物气体包含CxHy基底气体。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述前驱物气体包含C3H6。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始硬遮罩层包含碳基材料。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标的层包含氮化物或氧化物。
10.一种图案化方法，其特征在于，包含：
(i)在基板上形成标的层；
(ii)在所述标的层上形成初始硬遮罩层；
(iii)在400至700℃的植入温度下，将多个碳原子植入所述初始硬遮罩层以形成可灰化硬遮罩，其中所述可灰化硬遮罩中的植入剂量浓度为1014至1016ion/cm2；
(iv)对所述可灰化硬遮罩进行图案化以形成图案化可灰化硬遮罩，所述图案化可灰化硬遮罩暴露出所述标的层的一部分；
(v)蚀刻所述标的层的所述暴露部分，其中使用所述图案化可灰化硬遮罩作为遮罩；以及
(vi)对所述图案化可灰化硬遮罩进行灰化。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述初始硬遮罩层之前，步骤(i)包含刷洗所述标的层。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤(ii)之后及步骤(iii)之前，还包含在所述初始硬遮罩层上执行斜边蚀刻。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，执行步骤(iii)的植入剂量能量为10至50keV。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述植入温度为500至600℃。
15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述初始硬遮罩层包含碳基材料。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述标的层包含氮化物或氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
